| 发明名称 | 用于使N－沟道与P－沟道晶体管个别最佳化的差别隔离层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体的方法，该半导体具有n-沟道晶体管(12)和p-沟道晶体管(14)且具有对于各不同类型晶体管的最佳栅极至漏极交迭电容，该方法对于各个晶体管(12、14)在栅极(16)上使用差别隔离层。第一偏移隔离层(18)在栅极(16)上形成并施行n-沟道扩展注入以建立n-沟道晶体管(12)用的源极/漏极扩展区(20)，该n-沟道晶体管(12)与该栅极(16)间隔开最佳距离。第二偏移隔离层(22)在第一偏移隔离层(18)上形成，并形成p-沟道源极/漏极扩展注入以建立p-沟道晶体管(14)用的源极/漏极扩展区(26)。与在p-沟道晶体管(14)上的栅极(16)间隔开的源极/漏极扩展区注入(26)所增加的隔离层导致了p-型掺杂物较之于n-型掺杂物更快地扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1307689C | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN02824976.3 | 申请日期 | 2002.12.11 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·H·琼 |
| 分类号 | H01L21/266(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/266(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 1.一种用于相同基板(10)上形成n-沟道和p-沟道晶体管的方法，该n-沟道和p-沟道晶体管具有源极/漏极扩展区(20，26)与源极/漏极区域(30，32)，该方法包括下列步骤：在该n-沟道晶体管(12)和p-沟道晶体管(14)的栅极(16)上形成第一偏移隔离层(18)；仅在该基板(10)的该n-沟道晶体管(12)中注入源极/漏极扩展区(20)，用该第一偏移隔离层(18)屏蔽注入到该n-沟道晶体管(12)的该第一偏移隔离层(18)正下方的该基板(10)中；在该第一偏移隔离层(18)上形成第二偏移隔离层(22)；以及仅在该基板的该p-沟道晶体管(14)中注入源极/漏极扩展区(26)，用该第一偏移隔离层(18)和该第二偏移隔离层(22)屏蔽注入到该p-沟道晶体管(14)的该第一偏移隔离层(18)和第二偏移隔离层(22)正下方的该基板(10)中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||