| 发明名称 | 具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法能够克服当使用具有难以得到足够大的离子束电流和延长工艺时间这些缺点的超低能量离子注入技术时可用能量的限制，并且能够提高生产率。本发明包括一种具有超浅超陡反向(后面称为SSR)表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法包括下述步骤：通过注入癸硼烷在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；在沟道掺杂层上形成表面层；在表面层上相继形成栅介电层和栅极；通过排列在栅极边缘上而形成比沟道掺杂层浅的源/漏延伸区；在栅极的侧面上形成间隔壁；和通过利用在衬底上进行离子注入排列在间隔壁边缘上而形成比沟道掺杂层深的源/漏区。 | ||
| 申请公布号 | CN1307696C | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN03102527.7 | 申请日期 | 2003.02.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 孙容宣;朱晟栽 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1、一种具有超浅超陡反向表面沟道的半导体器件的制造方法，该方法包括下述步骤：通过注入癸硼烷在半导体衬底的表面下形成沟道掺杂层；在沟道掺杂层上形成表面层；在表面层上相继形成栅介电层和栅极；通过排列在栅极边缘而形成比沟道掺杂层浅的源/漏延伸区；在栅极的侧面形成间隔壁；和通过在衬底上进行离子注入排列在间隔壁边缘上而形成比沟道掺杂层深的源/漏区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||