| 发明名称 | 控制栅电极结构的修饰的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于控制包含具有第一尺寸的栅电极层的栅电极结构的修饰的方法和处理工具，包括确定栅电极结构的第一尺寸，选择目标修饰尺寸，将第一尺寸和目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数，对栅电极结构执行修饰工艺，包括控制该组工艺参数，修饰栅电极结构，以及测量栅电极结构的修饰尺寸。修饰工艺可被重复至少一次，直到获得目标修饰尺寸，其中修饰尺寸可被反馈到工艺模型以创建一组新的工艺参数。 | ||
| 申请公布号 | CN1938841A | 申请公布日期 | 2007.03.28 |
| 申请号 | CN200580010031.4 | 申请日期 | 2005.02.11 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 岳红宇;陈立 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01);G05B19/418(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L21/66(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种制作半导体器件的方法，包括：确定栅电极结构的第一尺寸；选择目标修饰尺寸；将所述第一尺寸和所述目标修饰尺寸前馈到工艺模型以创建一组工艺参数；以及对所述栅电极结构执行修饰工艺，包括：控制所述修饰工艺中的该组工艺参数，并且修饰所述栅电极结构。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||