发明名称 PROCESS FOR MANUFACTURE OF SUPER LATTICE USING ALTERNATING HIGH AND LOW TEMPERATURE LAYERS TO BLOCK PARASITIC CURRENT PATH
摘要 <p>A method for fabricating a III-nitride semiconductor body that include high temperature and low temperature growth steps.</p>
申请公布号 WO2007033312(A2) 申请公布日期 2007.03.22
申请号 WO2006US35800 申请日期 2006.09.14
申请人 INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION;BRIDGER, PAUL;BEACH, ROBERT 发明人 BRIDGER, PAUL;BEACH, ROBERT
分类号 C30B23/00;C30B25/00;C30B28/12;C30B28/14 主分类号 C30B23/00
代理机构 代理人
主权项
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