| 主权项 |
1.一种扫描电容显微镜之试片的制作方法,包括: 从一晶圆上切下一待检测部,该待检测部上具有多 数个材料层,在该些材料层中具有一闸极结构及位 于该闸极结构下方的一掺杂区,其中该闸极结构包 括一掺杂多晶矽层及位于该掺杂多晶矽层两侧侧 壁上的一间隙壁层; 移除该闸极结构上方的该些材料层直至暴露出该 闸极结构; 移除该闸极结构中的该掺杂多晶矽层; 研磨该待检测部的侧面,以形成一剖面并暴露出该 掺杂区;以及 于该剖面上形成一介电层。 2.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中该些材料层的移除方法包括 : 对该些材料层进行一湿式蚀刻制程,以移除该闸极 结构上方的部份该些材料层;以及 对该些材料层进行一研磨制程,以暴露出该闸极结 构。 3.如申请专利范围第2项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中于对该些材料层进行该湿式 蚀刻制程之后,于对该些材料层进行该研磨制程之 前,更包括于该待检测部进行定位。 4.如申请专利范围第3项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中于该待检测部进行定位的方 法,包括以一聚焦离子束于该待检测部进行定位。 5.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中该闸极结构中的该掺杂多晶 矽层的移除方法包括湿式蚀刻法。 6.如申请专利范围第5项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中该湿式蚀刻法所使用的蚀刻 液包括氢氧化钾。 7.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中于移除该闸极结构中的该掺 杂多晶矽层之后,于研磨该待检测部的侧面之前, 更包括以一聚焦离子束于该待检测部进行定位。 8.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中在对该剖面进行该研磨制程 之前,更包括将该待检测部固定在一研磨固定架。 9.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中于该剖面上形成一介电层之 后,更包括对该试片进行一紫外光照射处理。 10.如申请专利范围第1项所述之扫描电容显微镜之 试片的制作方法,其中该介电层的材质包括氧化矽 。 11.如申请专利范围第10项所述之扫描电容显微镜 之试片的制作方法,其中该介电层的形成方法包括 热氧化法。 12.一种利用扫描电容显微镜所进行的检测方法,包 括: 从一晶圆上切下一待检测部,该待检测部上具有多 数个材料层,在该些材料层中具有一闸极结构及位 于该闸极结构下方的一掺杂区,其中该闸极结构包 括一掺杂多晶矽层及位于该掺杂多晶矽层两侧侧 壁上的一间隙壁层; 移除该闸极结构上方的该些材料层直至暴露出该 闸极结构; 移除该闸极结构中的该掺杂多晶矽层; 研磨该待检测部的侧面,以形成一剖面并暴露出该 掺杂区; 于该剖面上形成一介电层;以及 以该扫描电容显微镜对该剖面进行扫描。 13.如申请专利范围第12项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中该些材料层的移除方 法包括: 对该些材料层进行一湿式蚀刻制程,以移除该闸极 结构上方的部份该些材料层;以及 对该些材料层进行一研磨制程,以暴露出该闸极结 构。 14.如申请专利范围第13项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中于对该些材料层进行 该湿式蚀刻制程之后,于对该些材料层进行该研磨 制程之前,更包括于该待检测部进行定位。 15.如申请专利范围第14项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中于该待检测部进行定 位的方法,包括以一聚焦离子束于该待检测部进行 定位。 16.如申请专利范围第12项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中该闸极结构中的该掺 杂多晶矽层的移除方法包括湿式蚀刻法。 17.如申请专利范围第16项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中该湿式蚀刻法所使用 的蚀刻液包括氢氧化钾。 18.如申请专利范围第12项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中于移除该闸极结构中 的该掺杂多晶矽层之后,于研磨该待检测部的侧面 之前,更包括以一聚焦离子束于该待检测部进行定 位。 19.如申请专利范围第12项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中在对该剖面进行该研 磨制程之前,更包括将该待检测部固定在一研磨固 定架。 20.如申请专利范围第12项所述之利用扫描电容显 微镜所进行的检测方法,其中于该剖面上形成一介 电层之后,更包括对该试片进行一紫外光照射处理 。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明一实施例之扫描电容显微镜试 片的制作方法之流程图。 图2所绘示为本发明一实施例之利用扫描电容显微 镜所进行的检测方法之流程图。 图3为实验例1的扫描电容显微镜的照片图。 图4为比较例1的扫描电容显微镜的照片图。 图5为实验例2的扫描电容显微镜的照片图。 图6为比较例2的扫描电容显微镜的照片图。 |
