发明名称 铁-磷电镀浴及方法
摘要 在一具体态样之中,本发明系有关于一种含水之酸性铁-磷浴,其包括:(A)至少一种化合物,可以从其以电解的方式将铁沉积,(B)次亚磷酸盐离子,以及(C)一个含硫化合物,其系选自于磺烷基化之聚乙亚胺、磺化之藏红染料、以及巯基脂肪族磺酸、或其硷金属盐。可选择地,本发明之含水之酸性铁-磷电镀浴亦可包括铝离子。藉由本发明之方法而沉积在该基板上的合金,其特征在于铁、磷、和硫的存在。
申请公布号 TWI276706 申请公布日期 2007.03.21
申请号 TW093140721 申请日期 2004.12.27
申请人 阿托科技股份有限公司 发明人 卡尔 克立斯群 菲尔斯;神谷 胜治;亚伦R 琼斯
分类号 C25D3/20(2006.01) 主分类号 C25D3/20(2006.01)
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种含水之酸性铁-磷浴,其包括: (A)至少一种铁化合物,可以从其以电解的方式将铁 沉积, (B)次亚磷酸盐离子,以及 (C)一个以大约0.001至大约0.5g/l之浓度范围存在的 含硫化合物,其系选自于磺烷基化之聚乙亚胺( sulfoalkylated polyethylene imines)、磺化之藏红染料( sulfonated safranin dye)、以及巯基脂肪族磺酸(mercapto aliphatic sulfonic acids)、或其硷金属盐。 2.根据申请专利范围第1项之浴,其中该铁化合物系 选自于氯化亚铁、硫酸亚铁、氟硼酸亚铁(ferrous fluoroborate)、甲基磺酸亚铁、硫酸亚铁(ferrous sulfamate)、以及其混合物。 3.根据申请专利范围第1项之浴,其中该次亚磷酸盐 离子的来源系为次磷酸、硷金属次亚磷酸盐、或 其混合物。 4.根据申请专利范围第1项之浴,其中该含硫化合物 系为一种巯基脂肪族磺酸、其硷金属盐、或其混 合物。 5.根据申请专利范围第1项之浴,其中该含硫化合物 系由以下之方程式代表: Y-S-R1-SO3X I 其中,X为H或者是硷金属,R1为包含1至大约5个碳原 子的烯基,Y为H、S-R1-SO3X、C(S)NR2"、C(S)OR2"C(NH2)NR2" 、或者是杂环族,而每一个R"系独立地为H或包含从 1至大约5个碳原子之烷基。 6.根据申请专利范围第1项之浴,其亦包括铝离子。 7.根据申请专利范围第1项之浴,其中其pH値系介于 大约0.5至大约5之间。 8.根据申请专利范围第1项之浴,其中该浴不具有错 合剂。 9.根据申请专利范围第1项之浴,其中该亚铁离子的 来源包括了硫酸亚铁和氯化亚铁。 10.一种含水之酸性铁-磷电镀浴,其包括: (A)每公升大约20至大约120公克的亚铁离子, (B)每公升大约0.2至大约8公克的磷,该磷系用来供 应次亚磷酸盐离子, (C)每公升大约0.001至大约0.5公克的硫,其系以一种 含硫化合物存在,其系选自于磺烷基化之聚乙亚胺 、磺化之藏红染料、以及巯基脂肪族磺酸、或其 硷金属盐。 11.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该亚铁 离子系以至少一种选自于氯化亚铁、硫酸亚铁、 氟硼酸亚铁、甲基磺酸亚铁、硫酸亚铁、以及其 混合物中的盐类存在。 12.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该磷系 以次磷酸、硷金属次亚磷酸盐、或其混合物存在 。 13.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该含硫 化合物系为一种巯基脂肪族磺酸化合物、或其盐 。 14.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该含硫 化合物系由以下之方程式代表: Y-S-R1-SO3X I 其中,X为H或者是硷金属,R1为包含1至大约5个碳原 子的烯基,Y为H、S-R1-SO3X、C(S)NR2"、C(S)OR2"C(NH2)NR2" 、或者是杂环族,而每一个R"系独立地为H或包含从 1至大约5个碳原子之烷基。 15.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该浴亦 包括每公升大约0.1至大约10公克的铝离子。 16.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该浴具 有介于大约0.8至大约2.5之间的pH値。 17.根据申请专利范围第10项之电镀浴,其中该浴不 具有错合剂。 18.一种将一铁-磷合金电沉积至一导电基板上的方 法,其包括: (A)提供一种如申请专利范围第1项之含水酸性电镀 浴,以及 (B)透过该电镀浴的使用,将该合金在该基板上的电 沉积起作用。 19.根据申请专利范围第18项之方法,其中该基板系 为内燃机的汽缸。 20.一种将一铁-磷合金电沉积至一导电基板上的方 法,其包括: (A)提供一种如申请专利范围第10项之含水酸性电 镀浴,以及 (B)透过该电镀浴的使用,将该合金在该基板上的电 沉积起作用。 21.一种具有沉积于其上之铁-磷合金的导电基板, 该经沉积之合金系藉由来自于申请专利范围第1项 之浴的电沉积所形成。 22.根据申请专利范围第21项之导电基板,其中该合 金包括从大约1至大约30原子百分比的磷。 23.根据申请专利范围第21项之导电基板,其中该合 金包括从大约70至大约99原子百分比的铁。 24.根据申请专利范围第21项之导电基板,其中该合 金包括从大约0.1至大约0.5原子百分比的硫。
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