| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体之制造方法,包括: 在透明基板上形成下地膜之步骤,该下地膜系单一 或复数个种类之绝缘膜的叠层结构; 在该下地膜上形成半导体层之步骤; 在该半导体层上形成闸极绝缘膜之步骤; 在该闸极绝缘膜上形成闸极电极之步骤; 进行离子布植而在该半导体层注入掺杂物,以形成 源/汲区域之步骤;以及 以=370-710nm之波长的雷射光照射该透明基板背面 侧,而将该半导体层中之该掺杂物离子向该闸电极 下方扩散之步骤。 2.一种薄膜电晶体之制造方法,包括: 在基板上形成下地膜之步骤,该下地膜系单一或复 数个种类之绝缘膜的叠层结构; 在该下地膜上形成半导体层之步骤; 在该半导体层上形成闸极绝缘膜之步骤; 在该闸极绝缘膜上形成闸极电极之步骤; 进行离子布植而在该半导体层注入掺杂物,以形成 源/汲区域之步骤;以及 在转动该基板时,同时以=370-710nm之波长的雷射 光从上方倾斜照射该基板,而将该半导体层中之该 掺杂物离子向该闸电极下方扩散之步骤。 3.如申请专利范围第2项所述之薄膜电晶体之制造 方法,其中形成该下地膜之步骤包括在基板上形成 氮化膜之步骤、在该氮化膜上形成氧化膜之步骤, 并利用该氮化膜与该氧化膜之间折射率的差异,使 上述雷射光在该氮化膜与该氧化膜之界面上反射, 并且将上述雷射光照射在薄膜电晶体之通道下的 区域。 4.如申请专利范围第1、2或3项所述之薄膜电晶体 之制造方法,其中在注入于该半导体层内之该掺杂 物中使用扩散系数相异之复数个离子种类。 5.如申请专利范围第1、2或3项所述之薄膜电晶体 之制造方法,其中于该半导体层内之该离子布植步 骤系于转动该基板时,同时于倾斜的方向进行。 6.如申请专利范围第4项所述之薄膜电晶体之制造 方法,其中于该半导体层内之该离子布植步骤系于 转动该基板时,同时于倾斜的方向进行。 图式简单说明: 第1(a)图至第1(c)图系绘示本发明第1实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 第2(a)图至第2(c)图系绘示本发明第2实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 第3(a)图至第3(b)图系绘示本发明第3实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 第4(a)图至第4(c)图系绘示本发明第4实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 第5(a)图至第5(b)图系绘示本发明第5实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 第6(a)图至第6(b)图系绘示本发明第6实施例之薄膜 电晶体之制造制程的概略图。 |
