| 主权项 |
1.一种电浆强化化学气相沉积系统,用以处理一或 多个平面显示器基材,该系统包括: 一真空沉积处理室,用以容纳气体; 一残余气体分析器,用以分析该处理室中的该气体 ,并提供回馈;以及 一控制器,用以监控来自该残余气体分析器的该回 馈。 2.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该控制器 可控制流入该处理室的气体流。 3.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该控制器 可控制该处理室排出气体流。 4.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该气体分 析器系一质谱仪。 5.如申请专利范围第4项所述之系统,其中该质谱仪 系一四极式质谱仪。 6.如申请专利范围第3项所述之系统,其中该控制器 可纪录制程数据。 7.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该残余气 体监控器可分析至少两种气体。 8.如申请专利范围第7项所述之系统,其中该至少两 种气体为氮气与氧气。 9.一种在一用于处理平面显示器基材之电浆强化 化学气相沉积系统中用以辨识一制程干扰的方法, 该方法包括: 测定为时间函数之分压曲线的一过去斜率; 根据藉着一残余气体分析器所获得之分压测量値, 计算出一新的曲线斜率; 比较该过去斜率与该新斜率;以及 发送一讯号给一操作者。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中发送给 该操作者之该讯号系经选择,以通知该操作者有制 程干扰或无制程干扰。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中藉由以 下步骤来测定该过去斜率: 监控多个分压测量値;以及 执行传统统计分析以测定一平均値与一偏差値。 12.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该至少 两种气体被监控与分析。 13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该至少 两气体之呈时间函数的气体分压测量値的过去斜 率与新斜率被纪录。 14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该至少 两种气体之斜率上的变化被相互比较。 15.如申请专利范围第14项所述之方法,其中,当该至 少两种气体在该过去斜率与该新斜率的比较中具 有相似的变化时,通知该操作者。 16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该至少 两种气体系氧气与氮气。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该至少 两种气体更包括氩气。 18.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该气体 分析器系一质谱仪。 19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该质谱 仪系一四极式质谱仪。 20.如申请专利范围第9项所述之方法,更包括发送 一讯号至一控制器。 21.一种用来监控一真空室内之泄漏现象的侦测器, 该侦测器包括: 一气体分析器,用以监控一真空室内的一或多种大 气气体,该一或多种大气气体系选自于由氮气、氧 气与氩气所构成之群组中;以及 一控制器,适于接收来自该气体分析器的数据,以 判断该一或多种大气气体是否泄漏至该真空室中 。 22.如申请专利范围第21项所述之侦测器,其中该控 制器可控制流入该真空室的该些处理气体。 23.如申请专利范围第21项所述之侦测器,其中该控 制器可控制该真空室排出该些气体。 24.如申请专利范围第21项所述之侦测器,其中该气 体分析器系一质谱仪。 25.如申请专利范围第24项所述之侦测器,其中该质 谱仪系一四极式质谱仪。 26.如申请专利范围第23项所述之侦测器,其中该控 制器纪录处理数据。 27.如申请专利范围第21项所述之侦测器,其中该气 体监控器分析至少两种气体。 28.如申请专利范围第27项所述之侦测器,其中该至 少两种气体为氮气与氧气。 29.一种用于处理一或多个基材的室,其包括: 一室,系选自于由一化学气相沉积室、一物理器相 沉积室与一蚀刻室所构成之群组中; 一真空来源,系耦合至该室;以及 一质谱仪,系耦合至该室。 30.如申请专利范围第29项所述之室,更包括一控制 器。 31.如申请专利范围第30项所述之室,其中该控制器 控制多种处理气体流入该室中。 32.如申请专利范围第30项所述之室,其中该控制器 控制该真空来源。 33.如申请专利范围第29项所述之室,其中该质谱仪 系一四极式质谱仪。 34.如申请专利范围第29项所述之室,其中该质谱仪 分析至少两种气体。 35.如申请专利范围第29项所述之室,其中该至少两 种气体为氮气与氧气。 36.如申请专利范围第1项所述之系统,其中该控制 器与该系统相连络,以将资讯提供给该操作者。 图式简单说明: 第1图系电浆强化化学气相沉积系统之一实施例的 剖面图。 第2图为一图表,其绘示由一电浆强化化学气相沉 积系统所获得之两气体分压测量値,该两气体分压 测量値为时间的函数。 |
