| 主权项 |
1.一种半导体封装体,包含: 半导体元件,其具有于其第一表面上之第一电极, 于其相对之第二表面上之第二电极; 导性罐,该导性罐包含一内部份及至少一壁,该壁 包含用于外部电连接之外连接表面; 导性黏合剂,其被置于该第一电极及该内部份间, 以使该内部份与第一电极呈电及机械连接,藉此, 该半导体元件被附接至该内部份且与该至少一壁 间隔开; 导电性互连结构,其系与该第二电极呈电及机械连 接;及 钝化层,其于该第二电极上形成,且被置于该半导 体元件与该至少一壁间之空间内,其中,该互连系 经该钝化结构延伸。 2.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 钝化结构系包含以矽为主之聚合物。 3.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 至少一壁围绕该内部份。 4.如申请专利范围第3项之半导体封装体,其中,该 罐系包含铜。 5.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 罐系包含铜。 6.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 半导体元件系动力MOSFET、二极体,或IGBT。 7.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 导性黏合剂系焊料或导性环氧化物。 8.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 互连系包含藉由导性黏合剂彼此胶黏之导电性颗 粒。 9.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 黏合剂包含焊料。 10.如申请专利范围第9项之半导体封装体,其中,该 焊料包含锡-银焊料。 11.如申请专利范围第10项之半导体封装体,其中,该 锡-银焊料系实质上由99.5% Sn、3.8%银,及0.7% Cu(以重 量计)所组成之组成物。 12.如申请专利范围第9项之半导体封装体,其中,该 焊料系实质上由95% Sn及5% Sb(以重量计)所组成之组 成物。 13.如申请专利范围第9项之半导体封装体,其中,该 焊料系高铅焊料。 14.如申请专利范围第9项之半导体封装体,其中,该 焊料系锡-铅焊料。 15.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系球形。 16.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系立方体状。 17.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系平行六面体。 18.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含铜。 19.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以镍障壁物电镀。 20.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以锡钝化。 21.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以银钝化。 22.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含镍。 23.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含锡银。 24.如申请专利范围第8项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含锡-铋。 25.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 导电性黏合剂包含该互连总重量之50-58%,且该导电 性颗粒包含该互连总重量之5-40%。 26.如申请专利范围第22项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒尺寸系15 um-65 um。 27.如申请专利范围第1项之半导体封装体,其中,该 钝化系延伸过该至少一壁。 28.一种半导体封装体,包含: 半导体元件,其具有于其第一表面上之第一电极, 于其相对之第二表面上之第二电极; 导性罐,该导性罐包含一内部份及至少一壁,该壁 包含用于外部电连接之外连接表面; 导性黏合剂,其被置于该第一电极及该内部份间, 以使该内部份与第一电极呈电及机械连接,藉此, 该半导体元件被附接至该内部份且与该至少一壁 间隔开;及 导电性互连结构,其系与该第二电极呈电及机械连 接; 其中,该互连包含数个导电性颗粒,其系藉由导性 黏合剂胶黏在一起。 29.如申请专利范围第28项之半导体封装体,进一步 包含钝化层,其于该第二电极上形成,且被置于该 半导体元件与该至少一壁间之空间内,其中,该互 连系经该钝化结构延伸。 30.如申请专利范围第29项之半导体封装体,其中,该 钝化层延伸过该至少一壁。 31.如申请专利范围第29项之半导体封装体,其中,该 钝化结构包含以矽为主之聚合物。 32.如申请专利范围第29项之半导体封装体,其中,该 至少一壁围绕该内部份。 33.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 罐系包含铜。 34.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 半导体元件系动力MOSFET、二极体,或IGBT。 35.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导性黏合剂系焊料或导性环氧化物。 36.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 黏合剂包含焊料。 37.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 焊料包含锡-银焊料。 38.如申请专利范围第37项之半导体封装体,其中,该 锡-银焊料系实质上由99.5% Sn、3.8%银,及0.7% Cu(以重 量计)所组成之组成物。 39.如申请专利范围第36项之半导体封装体,其中,该 焊料系实质上由95% Sn及5% Sb(以重量计)所组成之组 成物。 40.如申请专利范围第36项之半导体封装体,其中,该 焊料系高铅焊料。 41.如申请专利范围第36项之半导体封装体,其中,该 焊料系锡-铅焊料。 42.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系球形。 43.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系立方体状。 44.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系平行六面体。 45.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含铜。 46.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以镍障壁物电镀。 47.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以锡钝化。 48.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒系以银钝化。 49.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含镍。 50.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含锡银。 51.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒包含锡-铋。 52.如申请专利范围第28项之半导体封装体,其中,该 导电性黏合剂包含该互连总重量之50-58%,且该导电 性颗粒包含该互连总重量之5-40%。 53.如申请专利范围第54项之半导体封装体,其中,该 导电性颗粒尺寸系15 um-65 um。 54.一种半导体元件,包含: 半导体晶片,其具有位于其第一表面上之至少一第 一动力电极及一控制电极;及 互连结构,其系于该动力电极及该控制电极上形成 ,该互连结构包含数个导电性颗粒,其系藉由导性 黏合剂彼此胶黏。 55.如申请专利范围第54项之半导体元件,进一步包 含位于该第一表面上之第二动力电极,该第二动力 电极进一步包含互连结构,该互连结构包含数个导 电性颗粒,其系藉由导性黏合剂彼此胶黏。 56.如申请专利范围第54项之半导体元件,进一步包 含位于该半导体晶片之第二表面上之第二动力电 极,及导性罐,其中,该第二动力电极系与该导性罐 之内表面电连接。 57.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该黏 合剂包含焊料。 58.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该焊 料包含锡-银焊料。 59.如申请专利范围第58项之半导体元件,其中,该锡 -银焊料系实质上由99.5% Sn、3.8%银,及0.7% Cu(以重量 计)所组成之组成物。 60.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该焊 料系实质上由95% Sn及5% Sb(以重量计)所组成之组成 物。 61.如申请专利范围第57项之半导体元件,其中,该焊 料系高铅焊料。 62.如申请专利范围第57项之半导体元件,其中,该焊 料系锡-铅焊料。 63.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系球形。 64.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系立方体状。 65.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系平行六面体。 66.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒包含铜。 67.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系以镍障壁物电镀。 68.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系以锡钝化。 69.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒系以银钝化。 70.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒包含镍。 71.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒包含锡银。 72.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒包含锡-铋。 73.如申请专利范围第54项之半导体元件,其中,该导 电性黏合剂包含该互连总重量之50-58%,且该导电性 颗粒包含该互连总重量之5-40%。 74.如申请专利范围第73项之半导体元件,其中,该导 电性颗粒尺寸系15 um-65 um。 75.一种半导体封装体,包含: 半导体元件; 罐,其具有该半导体件所在之内部份;及 于该罐上之金精加工层。 76.如申请专利范围第75项之半导体封装体,其中,该 元件系动力MOSFET、二极体、IGBT,或动力IC。 77.如申请专利范围第75项之半导体封装体,其中,该 元件系与该罐之该内部份电连接。 78.如申请专利范围第75项之半导体封装体,其中,该 金精加工层之厚度系0.05-0.2um。 79.一种半导体封装体,包含: 半导体元件,其具有于其第一表面上之第一电极, 于其相对之第二表面上之第二电极; 导性罐,该导性罐包含一内部份及至少一壁,该壁 包含用于外部电连接之外连接表面; 导性黏合剂,其被置于该第一电极及该内部份间, 以使该内部份与第一电极呈电及机械连接,藉此, 该半导体元件被附接至该内部份且与该至少一壁 间隔开; 导电性互连结构,其系与该第二电极呈电及机械连 接;及 钝化层,其于该第二电极上形成,且被置于该半导 体元件与该至少一壁间之空间内,其中,该互连系 经该钝化结构延伸。 80.如申请专利范围第79项之半导体封装体,其中,该 互连结构包含焊料。 81.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 焊料系由99.5% Sn、3.8%银,0.7% Cu(以重量计)所组成。 82.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 焊料系由96% Sn, 4% Ag(以重量计)所组成。 83.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 焊料系由90% Sn, 10% Ag(以重量计)所组成。 84.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 焊料系由95% Pb, 5% Sn(以重量计)所组成。 85.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 钝化层包含矽环氧化物或矽聚酯。 86.如申请专利范围第80项之半导体封装体,其中,该 钝化层包含矽环氧化物、矽聚酯、丙烯酸酯、热 催化剂,及紫外线单体部份催化剂。 图式简单说明: 第1及2图例示依据习知技艺形成焊料凸块互连之 技术。 第3图例示以依据本发明之糊料形成之互连之主体 之一部份。 第4及5图例示用以形成依据本发明之互连之技术 。 第6图显示依据习知技艺之封装体之截面图。 第7图显示被改质包含依据本发明之互连之封装体 之第一实施例之截面图。 第8图显示包含依据本发明之互连之封装体之第二 实施例之侧面图。 第9图显示包含依据本发明之互连之封装体之第三 实施例之侧面图。 第10图显示被改质包含位于其电极上之互连之半 导体晶片之顶平面图。 第11图显示第10图所示半导体晶片以箭头11-11方向 所见之侧平面图。 第12图显示以包含依据本发明形成之互连之半导 体晶片形成之封装体之第一变体之透视图。 第13图显示以包含依据本发明形成之互连之半导 体晶片形成之封装体之第二变体之透视图。 第14图显示第13图所示封装体沿14-14线以箭头方向 所见之截面图。 第15图显示依据习知技艺之封装体之截面图。 第16图显示包含依据本发明形成之互连之覆晶半 导体元件。 第17图例示含有制得具有依据本发明之互连之晶 片之晶圆。 第18A图例示依据习知技艺之封装体与电路板连接 时之截面图。 第18B图例依据本发明之封装物与电路板连接时之 截面图。 |
