| 主权项 |
1.一种互连结构,包含: 一基板上之至少一导电性金属元件,该基板尚包含 一围绕于该导电性金属元件之层间介电膜, 一多层介电性扩散障蔽层,其系金属扩散之一障蔽 且由至少二子层构成,其中至少一子层为阻止空气 渗透之空气障蔽子层及至少另一子层为一低k子层 ,及 一层间介电质,其系由一线层介电质及一通孔层介 电质构成。 2.如申请专利范围第1项之结构,其中多层介电性扩 散障蔽层具有一介电常数小于4.0之成分。 3.如申请专利范围第1项之结构,其中空气障蔽子层 系一由氮化矽、碳氮化矽、氮氧化矽、二氧化矽 、碳化矽、或氟化玻璃构成之介电质。 4.如申请专利范围第1项之结构,其中空气障蔽子层 系一介电质,其具有一SivNwCxOyHz成分,其中0.1≦v≦0. 8,0≦w≦0.8,0.05≦x≦0.8,0≦y≦0.3,0.05≦z≦0.8,且v+w+ x+y+z=1。 5.如申请专利范围第1项之结构,其中低k子层系一 由SivNwCxOyHz构成之介电质,其中0.1≦v≦0.8,0≦w≦0.8 ,0.05≦x≦0.8,0≦y≦0.3,0.05≦z≦0.8,且v+w+x+y+z=1。 6.如申请专利范围第1项之结构,其中低k子层含有 孔隙。 7.如申请专利范围第6项之结构,其中孔隙具有一封 闭式单元形态。 8.如申请专利范围第1项之结构,其中多层介电性扩 散障蔽层系一在空气障蔽子层顶部设有低k子层之 双层。 9.如申请专利范围第1项之结构,其中多层介电性扩 散障蔽层系一在低k子层顶部设有空气障蔽子层之 双层。 10.如申请专利范围第1项之结构,其中多层介电性 扩散障蔽层系一在二低k子层之间设有空气障蔽子 层之三层。 11.如申请专利范围第1项之结构,其中互连结构尚 包含至少一低介电常数材料,该低介电常数材料系 由聚矽氧烷、聚矽倍半氨烷、聚芳基烯、聚芳基 烯醚、或利用气体沉积法所产生之介电质膜至少 一者构成,该介电质膜具有SivNwCxOyHz成分,其中0.05 ≦v≦0.8,0≦w≦0.9,0.05≦x≦0.8,0≦y≦0.8,0.05≦z≦0.8 ,且v+w+x+y+z=1。 12.如申请专利范围第11项之结构,其中低介电常数 材料呈多孔性。 13.如申请专利范围第l项之结构,其中通孔层介电 质系由至少一低介电常数材料及多层介电性扩散 障蔽层构成。 14.如申请专利范围第1项之结构,其中通孔层介电 质系仅由多层介电性扩散障蔽层构成。 15.如申请专利范围第1项之结构,其中层间介电质 系由一单一成分之线层介电质及一具有二不同成 分之通孔层介电质构成,其中位于导电性金属元件 正下方之介电质系单一成分,而未位于导电性金属 元件正下方之介电质具有相同于线层介电质者之 成分。 16.如申请专利范围第1项之结构,其中导电性金属 线包含一设于顶表面之金属,以减少互连结构之之 电迁移特征。 17.如申请专利范围第1项之结构,其中导电性金属 线包含一设于顶表面之部分,以减少金属线氧化之 倾向,该部分系苯并三唑、胺、醯胺、醯亚胺、硫 酯、硫醚、、氨酯、、异氰酸盐、硫赶、 、膦、氧化膦、膦醯亚胺、啶、咪唑、醯亚胺 、恶唑、苯并恶唑、唑、唑、三唑、吩、 恶二唑、嗓、唑、恶、苯并咪唑、羟 、或引其中一者。 18.如申请专利范围第1项之结构,其中线层介电质 包含一硬光罩介电质,其成分不同于线层介电质者 。 19.如申请专利范围第18项之结构,其中硬光罩介电 质包含聚矽氧烷、聚矽倍半氨烷、或具有 SivNwCxOyHz成分之任意CVD沉积介电质,其中0.05≦v≦0. 8,0≦w≦0.9,0.05≦x≦0.8,0≦y≦0.8,0.05≦z≦0.8,且v+x+x +y+z=1。 20.如申请专利范围第1项之结构,其中线层介电质 及通孔层介电质系由一介电性蚀刻终止层分隔。 21.如申请专利范围第20项之结构,其中介电性蚀刻 终止层包含聚矽氧烷、聚矽倍半氨烷、或具有 SivNwCx OyHz成分之任意CVD沉积介电质,其中0.05≦v≦0 .8,0≦w≦0.9,0.05≦x≦0.8,0≦y≦0.8,0.05≦z≦0.8,且v+w+ x+y+z=1。 22.如申请专利范围第1项之结构,其中至少一助黏 剂设于多层介电性扩散障蔽层及多层介电性扩散 障蔽层之上方及/或下方之介电质层之间。 23.如申请专利范围第1项之结构,其中至少一助黏 剂设于多层介电性扩散障蔽层之诸子层之间。 24.一种产生一多层介电性扩散障蔽层之方法,包含 : 利用一以溶剂为主之方法施加一聚合物陶瓷母体 涂料; 将聚合物陶瓷母体转变成低k子层;及 施加一空气障蔽子层涂料。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中将聚合物陶 瓷母体转变成低k子层包含热固化、电子投射、离 子投射、以紫外线及/或可见光投射,或其任意组 合。 26.如申请专利范围第24项之方法,其中一助黏剂系 在聚合物陶瓷母体施加之前施加。 27.如申请专利范围第26项之方法,其中助黏剂系在 一含有聚合物陶瓷母体之溶液内共溶,且在施加期 间或在聚合物陶瓷母体转变成低k子层期间分离于 膜片介面。 28.如申请专利范围第24项之方法,其中一助黏剂系 在聚合物陶瓷母体施加之后,且在聚合物陶瓷母体 转变成低k子层之前施加。 29.如申请专利范围第24项之方法,其中一助黏剂系 在聚合物陶瓷母体转变成低k子层之后施加。 30.如申请专利范围第24项之方法,其中一用于产生 孔隙之牺牲部分系在含有聚合物陶瓷母体之溶液 内共溶。 31.如申请专利范围第24项之方法,其中空气障蔽子 层系利用化学气体沉积制程、电浆增强性化学气 体沉积、或物理气体沉积施加。 32.如申请专利范围第24项之方法,其中空气障蔽子 层系利用热固化、电子投射、离子投射、以紫外 线及/或可见光投射,或其任意组合而退火。 33.如申请专利范围第24项之方法,其中一助黏剂施 加于空气障蔽子层,以增强对于其他层之黏结。 34.如申请专利范围第24项之方法,其中空气障蔽子 层曝露于一反应性电浆以调整空气障蔽子层之表 面,以增强对于其他层之黏结。 35.如申请专利范围第24项之方法,其中低k子层曝露 于一反应性电浆以调整低k子层之表面,以增强对 于其他层之黏结。 36.一种用于产生一多层介电性扩散障蔽层之成分, 包含: 一溶剂,其利用以溶剂为主之方法施加于低k子层; 一聚合物陶瓷母体,其转变成一低k子层;及 一空气障蔽子层。 37.如申请专利范围第36项之成分,其中聚合物陶瓷 母体包含聚矽氨烷、聚碳矽烷、聚矽矽氨烷、聚 矽烷、聚矽碳矽烷、聚矽氧烷、聚碳矽氨烷、聚 甲矽烷基碳二醯亚胺、聚矽倍半氨烷、或聚矽碳 矽氨烷。 38.如申请专利范围第36项之成分,其中聚合物陶瓷 母体包含键合于链状背骨之侧官能基,该侧官能基 系选自以胺、醯胺、醯亚胺、硫酯、硫醚、、 氨酯、、异氰酸盐、硫赶、、膦、氧化膦、 膦醯亚胺、苯并三唑、啶、咪唑、醯亚胺、恶 唑、苯并恶唑、唑、唑、三唑、吩、恶二 唑、、唑、恶、苯并咪唑、羟、 、氢基、乙烯基、烯丙基、烷氧基、矽基 、甲矽烷基、及烷基族组成之族群中。 39.如申请专利范围第36项之成分,其中聚合物陶瓷 母体具有SivNwCxOyHz成分,其中0.1≦v≦0.8,0≦w≦0.8,0. 05≦x≦0.8,0≦y≦0.3,0.05≦z≦0.8,且v+w+x+y+z=1。 40.如申请专利范围第36项之成分,其中一抗纹剂系 共溶于含有聚合物陶瓷母体之溶液内,以产生高均 匀度之膜片。 41.如申请专利范围第36项之成分,其中一助黏剂系 共溶于含有聚合物陶瓷母体之溶液内。 42.如申请专利范围第36项之成分,其中一用于产生 孔隙之牺牲部分系在含有聚合物陶瓷母体之溶液 内共溶。 43.如申请专利范围第36项之成分,低k子层具有一 SivNwCxOyHz成分,其中0.1≦v≦0.8,0≦w≦0.8,0.05≦x≦0.8 ,0≦y≦0.3,0.05≦z≦0.8,且v+w+x+y+z=1。 图式简单说明: 图1系本发明半导体装置之截面图。 图2系本发明另一半导体装置之截面图。 图3系本发明又一半导体装置之截面图。 |
