| 主权项 |
1.一种有机电激发光结构,包含有: 至少一阳极,设于一基板上; 至少一电洞注入结构,包含有至少一第一材料层与 至少一第二材料层堆叠于该阳极上,该第一材料层 包含有至少一第一传导材料(first conductive material) 与至少一有机材料之一混合物,且该第二材料层包 含有至少一第二传导材料(second conductive material); 至少一有机发光层,设于该电洞注入结构之上;以 及 至少一电子源层,设于该有机发光层之上。 2.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该第一 材料层所包含之该第一传导材料与该有机材料之 该混合物系为一均匀混合物。 3.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该第一 材料层所包含之该第一传导材料与该有机材料之 该混合物系为一具有梯度浓度分布之混合物。 4.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料包含有金属、金属氧化物或上述材料之 混合物。 5.如请求项4所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料系为一金属,且该金属约占该混合物之1% 至10%之间,而该有机材料约占该混合物之90%至99%之 间。 6.如请求项5所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料之该金属约占该混合物之5%,而该有机材 料约占该混合物之95%。 7.如请求项4所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料系为一金属,且该金属之功函数系大于4 电子伏特(eV)。 8.如请求项4所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料系为一金属氧化物,且该金属氧化物约占 该混合物之1%至99%之间,而该有机材料约占该混合 物之1%至99%之间。 9.如请求项8所述之有机电激发光结构,其中该第一 传导材料之该金属氧化物约占该混合物之10%至30%, 而该有机材料约占该混合物之70%至90%之间。 10.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该第 一材料层之该有机材料包含有N,N'-二-[(1-基)-N,N' -二苯基-1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(NPB)、聚乙烯二氧塞 吩/聚苯乙烯磺酸纳(polyethylene dioxythiophene/ polystyrene sulphonate, PEDOT:PSS)、-共轭分子-4,4',4"- 三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(4,4',4"-tris(3- methylphenylphenylamino)triphenylamine, m-MTDATA)或聚苯胺( polyabuline)。 11.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该第 二传导材料包含有金属、金属氧化物或上述材料 之混合物。 12.如请求项5所述之有机电激发光结构,其中该第 二传导材料系为一金属氧化物,且该金属氧化物包 含有氧化钨、氧化镨、氧化钒或氧化钼。 13.如请求项1所述之有机电激发光结构,另包含有 至少一电洞传输层,设于该有机发光层与该电洞注 入结构之间。 14.如请求项1所述之有机电激发光结构,其中该电 子源层,包含至少一阴极与至少一电子传输层,该 电子传输层设于该有机发光层与该阴极之间,其中 该电子传输层与该阴极之间可另包含至少一电子 注入层。 15.一种制造有机电激发光结构之方法,包含有:形 成至少一阳极,于一基板上; 形成至少一电洞注入结构于该阳极上,该电洞注入 结构包含有至少一第一材料层与至少一第二材料 层,该第一材料层包含有至少一第一传导材料(first conductive material)与至少一有机材料之一混合物,且 该第二材料层包含有至少一第二传导材料(second conductive material); 形成至少一有机发光层,于该电洞注入结构之上; 以及 形成至少一电子源层,于该有机发光层之上。 16.如请求项15所述之方法,另包含形成至少一电洞 传输层,于该有机发光层与该电洞注入结构之间。 17.如请求项15所述之方法,其中该电子源层包含至 少一阴极与至少一电子传输层,该电子传输层形成 于该有机发光层与该阴极之间,该电子传输层与阴 极之间可另包含至少一电子注入层。 18.如请求项15所述之方法,其中该第一传导材料包 含有金属、金属氧化物或上述材料之混合物。 19.如请求项18所述之方法,其中该第一传导材料系 为一金属,且该金属约占该混合物之1%至10%之间,而 该有机材料约占该混合物之90%至99%之间。 20.如请求项19所述之方法,其中该第一传导材料之 该金属约占该混合物之5%,而该有机材料约占该混 合物之95%。 21.如请求项18所述之方法,其中该第一传导材料层 系为一金属,且该金属之功函数系大于4电子伏特( eV)。 22.如请求项18所述之方法,其中该第一传导材料系 为一金属氧化物,且该金属氧化物约占该混合物之 1%至99%之间,而该有机材料约占该混合物之1%至99% 之间。 23.如请求项22所述之方法,其中该第一材料层之之 该第一传导材料之该金属氧化物约占该混合物之 10%至30%,而该有机材料约占该混合物之70%至90%之间 。 24.如请求项15所述之方法,其中该第一材料层之该 有机材料包含有N,N'-二-[(1-基)-N,N'-二苯基-1,1'- 联苯基]-4,4'-二胺(NPB)、聚乙烯二氧塞吩/聚苯乙烯 磺酸纳(polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate, PEDOT:PSS)、-共轭分子-4,4',4"-三偶(3-甲基苯基苯 胺)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, m-MTDATA)或聚苯胺(polyabuline)。 25.如请求项15所述之方法,其中该第二传导材料包 含有金属、金属氧化物或上述材料之混合物。 26.如请求项25所述之方法,其中该第二传导材料系 为一金属氧化物,且该金属氧化物包含有氧化钨、 氧化镨、氧化钒或氧化钼。 27.如请求项15所述之方法,其中该第一材料层所包 含之该第一传导材料与该有机材料之该混合物系 为一均匀混合物。 28.如请求项15所述之方法,其中该第一材料层所包 含之该第一传导材料与该有机材料之该混合物系 为一具有梯度浓度分布之混合物。 29.一种电洞注入结构,包含有: 至少一第一材料层与至少一第二材料层,该第一材 料层包含有至少一第一传导材料(first conductive material)与至少一有机材料之一混合物,且该第二材 料层包含有至少一第二传导材料(second conductive material)。 30.如请求项29所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层所包含之该第一传导材料与该有机材料之该 混合物系为一均匀混合物。 31.如请求项29所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层所包含之该第一传导材料与该有机材料之该 混合物系为一具有梯度浓度分布之混合物。 32.如请求项29所述之电洞注入结构,其中该第一传 导材料包含有金属、金属氧化物或上述材料之混 合物。 33.如请求项32所述之电洞注入结构,其中该第一传 导材料系为一金属,且该金属约占该混合物之1%至 10%之间,而该有机材料约占该混合物之90%至99%之间 。 34.如请求项33所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层之该第一传导材料之该金属约占该混合物之5 %,而该有机材料约占该混合物之95%。 35.如请求项32所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层系为一金属,且该金属之功函数系大于4电子 伏特(eV)。 36.如请求项32所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层之该第一传导材料系为一金属氧化物,且该金 属氧化物约占该混合物之1%至99%之间,而该有机材 料约占该混合物之1%至99%之间。 37.如请求项36所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层之之该第一传导材料之该金属氧化物约占该 混合物之10%至30%,而该有机材料约占该混合物之70% 至90%之间。 38.如请求项29所述之电洞注入结构,其中该第一材 料层之该有机材料包含有N,N'-二-[(1-基)-N,N'-二 苯基-1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(NPB)、聚乙烯二氧塞吩/ 聚苯乙烯磺酸纳(polyethylene dioxythiophene/polystyrene sulphonate, PEDOT:PSS)、-共轭分子-4,4',4"-三偶(3-甲 基苯基苯胺)三苯胺(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino )triphenylamine, m-MTDATA)或聚苯胺(polyabuline)。 39.如请求项29所述之电洞注入结构,其中该第二传 导材料包含有金属、金属氧化物或上述材料之混 合物。 40.如请求项39所述之电洞注入结构,其中该第二传 导材料系为一金属氧化物,且该金属氧化物包含有 氧化钨、氧化镨、氧化钒或氧化钼。 图式简单说明: 第1图为习知有机电激发光结构之示意图。 第2图至第4图为本发明一较佳实施例之有机电激 发光结构的方法示意图。 第5图为本发明之有机电激发光结构之电压与电流 密度之关系图。 第6图至第8图为本发明其它实施例之第一材料层 之浓度分布示意图。 |
