| 主权项 |
1.一种动态随机存取记忆体的制作方法,包括: 利用位于一基底上之一图案化罩幕层进行一图案 化制程,以于该基底中形成一深沟渠; 于该深沟渠之底部之该基底中形成一下电极; 于该深沟渠之底部依序形成一电容介电层与一第 一导电层; 于被该第一导电层所暴露之该深沟渠之部分侧壁 上形成一第一领氧化层; 于该深沟渠中填入一第二导电层,该第二导电层之 高度与该第一领氧化层之高度相同; 于该深沟渠中填入一第一介电层; 移除部分该图案化罩幕层、部分该基底与部分该 第一介电层以形成一第一沟渠,暴露出部分该第二 导电层; 于该第一沟渠之部分侧壁上形成一第二领氧化层; 于该第一沟渠中填入一第三导电层,该第三导电层 之高度与该第二领氧化层之高度相同; 于该第一沟渠中填入一第二介电层,以填满该第一 沟渠; 移除该图案化罩幕层; 于该深沟渠上形成一闸极结构; 于该闸极结构一侧之该第二介电层中形成一第二 沟渠,以暴露出该第三导电层;以及 于该基底上形成一第四导电层,并填满该第二沟渠 。 2.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体的制作方法,其中该第四导电层的形成方法包括 选择性磊晶矽成长制程。 3.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体的制作方法,其中该第一介电层的形成方法包括 : 于该基底上形成一介电材料层; 进行一快速热回火制程;以及 进行化学机械研磨制程。 4.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体的制作方法,其中该下电极的形成方法包括: 于该深沟渠之侧壁形成一掺杂氧化层;以及 进行一热制程。 5.如申请专利范围第4项所述之动态随机存取记忆 体的制作方法,其中该掺杂氧化层中的掺杂离子包 括砷。 6.如申请专利范围第1项所述之动态随机存取记忆 体的制作方法,其中该第二介电层的形成方法包括 高密度电浆化学气相沈积法。 7.一种动态随机存取记忆体,包括: 一沟渠式电容器,配置于一基底之一第一沟渠中, 且该基底具有一第二沟渠,其中该第二沟渠的深度 小于该第一沟渠的深度,且该第二沟渠底部与该第 一沟渠部分重叠,该沟渠式电容器包括: 一下电极,配置于该第一沟渠之底部之该基底中; 一电容介电层,配置于该第一沟渠下半部之侧壁上 ; 一第一领氧化层,配置于该第一沟渠上半部之侧壁 上,且位于该电容介电层之上;以及 一第一导电层,配置于该第一沟渠中; 一第二导电层,配置于该第二沟渠中,且与该第一 导电层电性连接; 一闸极结构,配置于该基底上;以及 一第三导电层,配置于该闸极结构二侧之该基底表 面上,其中该闸极结构一侧之该第三导电层与该第 二导电层电性连接。 8.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,其中该第三导电层包括选择性磊晶矽成长层。 9.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,其中该第一导电层的材质包括掺杂多晶矽。 10.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,其中该第二导电层的材质包括掺杂多晶矽。 11.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,其中该电容介电层的材质包括氧化矽或氮化矽 。 12.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,更包括一第二领氧化层,配置于该第二沟渠中, 且位于该第二沟渠之侧壁与该第二导电层之间。 13.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,更包括一第一介电层,配置于该第一导电层上, 且位于该第二沟渠之侧。 14.如申请专利范围第7项所述之动态随机存取记忆 体,更包括一第二介电层,配置于该第二导电层上 。 15.一种动态随机存取记忆体的制作方法,包括: 形成一第一沟渠于一基底中; 形成一第一导电层于该第一沟渠中; 形成一第二沟渠于该基底中,其中该第二沟渠之深 度小于该第一沟渠之深度,且该第二沟渠底部与该 第一沟渠部分重叠; 形成一第二导电层于该第二沟渠中; 形成一第三沟渠于该基底中,其中该第三沟渠之深 度小于该第二沟渠之深度,且位于该第二沟渠之上 ;以及 形成一第三导电层于该第三沟渠中与该基底表面 上,其中透过该第三导电层可将该第二导电层电性 连接至一闸极结构之一侧。 16.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记 忆体的制作方法,更包括形成一领氧化层于该第二 沟渠之侧壁上。 17.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记 忆体的制作方法,其中形成该第二沟渠的方法包括 : 形成一第一介电层于该第一沟渠中;以及 移除部分该基底与部分该第一介电层,以形成一开 口而露出部分该第一导电层。 18.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记 忆体的制作方法,其中形成该第三沟渠的方法包括 : 形成一第二介电层于该第二沟渠中;以及 移除部分该第二介电层,以形成一开口而露出部分 该第二导电层。 19.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记 忆体的制作方法,其中形成该第三导电层的方法包 括进行一选择性磊晶矽成长制程。 20.如申请专利范围第15项所述之动态随机存取记 忆体的制作方法,其中形成该第三沟渠所使用之光 罩,与形成该第二沟渠所使用之光罩相同。 图式简单说明: 图1为习知一种具有深沟渠式电容器之动态随机存 取记忆体之剖面示意图。 图2为依照本发明实施例所绘示的动态随机存取记 忆体阵列之上视图。 图3A至图3E为依照图2中Ⅰ-Ⅰ'剖面所绘示之制作流 程剖面图。 图4A至图4B为依照图2中Ⅱ-Ⅱ'剖面所绘示之制作流 程剖面图。 图5为依照本发明实施例所绘示的动态随机存取记 忆体之剖面示意图。 |
