| 主权项 |
1.一种离子植入机台,包括: 一扫描器,将该离子植入机台中产生的一离子束扫 描成一带状离子束; 一控制装置,连接至该扫描器,该控制装置将该带 状离子束分成多数个区域,并控制各该区域中该扫 描器的一扫描速度;以及 一晶圆承载装置,设置于该扫描器产生该带状离子 束之一侧,该晶圆承载装置用以承载一晶圆,并使 该晶圆面向该扫描器进行旋转及垂直移动。 2.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,更包 括一侦测装置,连接至该控制装置并设置于该扫描 器及该晶圆承载装置之间,以侦测该带状离子束中 各该区域的一电流値。 3.如申请专利范围第2项所述之离子植入机台,在该 控制装置中更包括一应用软体,对各该区域的各该 电流値进行处理,以计算出各该区域中该控制装置 对该扫描器之各该扫描速度的调整値。 4.如申请专利范围第2项所述之离子植入机台,其中 该侦测装置包括一法拉第杯。 5.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其中 该扫描器的各该扫描速度包括由单位时间内电场 的变化速度所控制。 6.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其中 该扫描器的各该扫描速度包括由单位时间内磁场 的变化速度所控制。 7.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其中 该晶圆承载装置包括: 一晶圆承载座; 一旋转装置,连接于该晶圆承载座,以使该晶圆承 载座进行旋转;以及 一升降装置,连接于该旋转装置,以使该晶圆承载 座进行垂直移动。 8.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其中 该晶圆承载座包括一静电吸座。 9.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其中 该旋转装置包括一马达。 10.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,更 包括一离子束产生器,设置于该扫描器接收该离子 束之一侧,该离子束产生器是用以产生该离子束。 11.如申请专利范围第1项所述之离子植入机台,其 中该离子植入机台包括一中电流离子植入机台。 12.一种离子植入轮廓的调整方法,包括: 提供一离子植入机台,该离子植入机台包括: 一扫描器; 一控制装置,连接至该扫描器;以及 一晶圆承载装置,设置于该扫描器产生一带状离子 束之一侧; 将一晶圆置于该晶圆承载装置上;以及 以该扫描器所产生的该带状离子束对该晶圆进行 一离子植入制程,其中 在进行该离子植入制程时,该晶圆承载装置使该晶 圆面向该扫描器连续地进行旋转,且由该控制装置 将该带状离子束分成多数个区域并调整各该区域 中该扫描器的一扫描速度。 13.如申请专利范围第12项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中该晶圆的旋转速度在每分钟1000转 以上。 14.如申请专利范围第12项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中在进行该离子植入制程时,更包括 提供连接于该控制装置的一侦测装置,以侦测该带 状离子束中各该区域的一电流値。 15.如申请专利范围第14项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中各该扫描速度的调整方法,包括: 将该侦测装置所侦测得到之各该区域的该电流値 回馈至该控制装置;以及 该控制装置依据各该区域的该电流値调整各该区 域中该扫描器的各该扫描速度。 16.如申请专利范围第14项或第15项所述之离子植入 轮廓的调整方法,在该控制装置中更包括一应用软 体,对各该区域的各该电流値进行处理,以计算出 各该区域中该控制装置对该扫描器之各该扫描速 度的调整値。 17.如申请专利范围第14项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中该侦测装置包括一法拉第杯。 18.如申请专利范围第12项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中该扫描器的各该扫描速度包括由单 位时间内电场的变化速度所控制。 19.如申请专利范围第12项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中该扫描器的各该扫描速度包括由单 位时间内磁场的变化速度所控制。 20.如申请专利范围第12项所述之离子植入轮廓的 调整方法,其中在进行该离子植入制程时,该晶圆 承载装置更使该晶圆面向该扫描器来回进行垂直 移动。 图式简单说明: 图1所绘示为本发明一实施例之离子植入机台的示 意图。 图2所绘示为本发明一实施例之离子植入轮廓的调 整方法的流程图。 |
