发明名称 |
太阳能电池基片绒面结构的形成方法 |
摘要 |
一种太阳能电池正面上形成绒面结构的方法,包括:步骤1,用碳化硅(SiC)砂对硅基片的正面进行喷砂处理,除去硅基片正面上的一些膜,如氮化硅膜、氮化钛膜、碳炭化硅膜,使有缺陷的硅层曝露在外面,并使硅基片正面形成粗糙表面,粗糙度大于0.3μm,而硅基片的背面保持光滑表面;步骤2,将其正面形成粗糙表面的硅基片浸渍到酸腐蚀溶液,经过该腐蚀处理的硅晶基片具有粗糙表面而硅片背面却变成了光滑表面;步骤3,清洗。用本发明方法在太阳能电池硅基片正面上形成绒面结构所需要的设备少,更容易在太阳能电池用的硅基片正面上形成绒面结构,缩短了太阳能电池的制造工艺时间,减少了化学腐蚀溶液的浪费,降低了太阳能电池的制造成本。 |
申请公布号 |
CN1933188A |
申请公布日期 |
2007.03.21 |
申请号 |
CN200510029562.X |
申请日期 |
2005.09.12 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
苏晓平;江彤 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01);H01L21/302(2006.01) |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01) |
代理机构 |
上海新高专利商标代理有限公司 |
代理人 |
楼仙英 |
主权项 |
1.太阳能电池基片绒面结构的形成方法,包括以下工艺步骤:步骤1,用碳化硅(SiC)砂,硅基片的正面进行喷砂处理,除去硅基片正面上的一些膜,例如,氮化硅(SiN)膜、氮化钛(TiN)膜、碳炭化硅(SiC)膜,通过喷砂处理,使有缺陷的硅层曝露在外面,并使硅基片正面形成粗糙结构,而硅基片的背面保持光滑表面;步骤2,将其正面形成粗糙结构的硅基片浸渍到酸腐蚀溶液,经过该腐蚀处理,硅基片正面具有粗糙的绒面结构,而硅片背面却变成了光滑表面;步骤3,用HF,HCl和纯水混合溶液,进行5~10分钟的清洗,其中,HF的含量为5±1%,HCl的含量为5±1%,混合溶液中的其余量是纯水,以质量百分比计。 |
地址 |
201203上海市浦东新区张江路18号 |