选择性生长的发光二极管结构

摘要

本发明提供一种选择性生长的发光二极管结构，是在基片表面首先生长一层氧化层，将氧化层制作图案后，直接利用横向生长技术，选择性地在氧化层上生成缓冲层，之后在缓冲层上依次生长n型氮化镓层、主动层及p型氮化镓层，并制作电极完成发光二极管结构。

主权项

1.一种选择性生长的发光二极管结构，其特征在于，包含：基片，该基片不具导电性；氧化层，沉积在该基片上，经图案制作后，形成多数个不相邻独立区块，该多数个区块具有各自的横向宽度，且该多数个区块相互间具有间隙，该横向宽度区分为大宽度与小宽度，该大宽度在30微米以上，该小宽度在5微米以下，该间隙介于8到12微米间，该氧化层的成份为二氧化硅化合物；缓冲层，以横向成长技术，在该多数个具小宽度的横向宽度而不相邻独立区块的氧化层上沉积形成后，连接成一体，其材料主要为氮化镓系列III-V族化合物；n型氮化镓层，形成在该缓冲层上；主动层，形成在该n型氮化镓层上，以氮化镓系列III-V族化合物为主要成份；p型氮化镓层，形成在该主动层上；n型欧姆接触电极，形成在n型电极形成区上，该n型电极形成区位于该n型氮化镓层上，该n型电极形成区是通过蚀刻该p型氮化镓层、该主动层及该n型氮化镓层后，使该n型氮化镓层曝露后所得，金属钛/铝(Ti/Al)沉积在该n型氮化镓层表面，形成该n型欧姆接触电极；p型欧姆接触电极，形成在该p型氮化镓层上，其材料为镍/金铍(Ni/AuBe)，该p型欧姆接触电极的厚度介于50至200埃()间；及多数个焊接垫(pads)，形成在该p型欧姆接触电极与该n型欧姆接触电极上，该焊接垫是一堆叠层，该堆叠层由5层金属钛/铂/铝/钛/金(Ti/Pt/Al/Ti/Au)叠加形成，该焊接垫的厚度介于3微米到1微米(μm)间。