发明名称 |
薄膜晶体管及其制造方法 |
摘要 |
一种薄膜晶体管,包括栅极、栅绝缘层、通道层、源极、漏极以及欧姆接触层。其中的栅绝缘层会覆盖栅极;通道层是位于栅极上方的栅绝缘层上;源极与漏极是设置于通道层上;欧姆接触层是设置在通道层与源极及漏极之间,而此欧姆接触层是由多层膜层所构成。依据上述,本发明所披露的薄膜晶体管的欧姆接触层是由多层膜层所构成,因此当此薄膜晶体管处于关闭状态时的漏电流会比较小。 |
申请公布号 |
CN1933182A |
申请公布日期 |
2007.03.21 |
申请号 |
CN200510103050.3 |
申请日期 |
2005.09.15 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
许民庆;莫云龙 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01) |
代理机构 |
北京连和连知识产权代理有限公司 |
代理人 |
高翔 |
主权项 |
1.一种薄膜晶体管,其特征是包括:栅极;栅绝缘层,覆盖该栅极;通道层,位于该栅极上方的该栅绝缘层上;源极与漏极,设置于该通道层上;以及欧姆接触层,设置在该通道层与该源极及该漏极之间,其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |