发明名称 薄膜晶体管及其制造方法
摘要 一种薄膜晶体管,包括栅极、栅绝缘层、通道层、源极、漏极以及欧姆接触层。其中的栅绝缘层会覆盖栅极;通道层是位于栅极上方的栅绝缘层上;源极与漏极是设置于通道层上;欧姆接触层是设置在通道层与源极及漏极之间,而此欧姆接触层是由多层膜层所构成。依据上述,本发明所披露的薄膜晶体管的欧姆接触层是由多层膜层所构成,因此当此薄膜晶体管处于关闭状态时的漏电流会比较小。
申请公布号 CN1933182A 申请公布日期 2007.03.21
申请号 CN200510103050.3 申请日期 2005.09.15
申请人 中华映管股份有限公司 发明人 许民庆;莫云龙
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人 高翔
主权项 1.一种薄膜晶体管,其特征是包括:栅极;栅绝缘层,覆盖该栅极;通道层,位于该栅极上方的该栅绝缘层上;源极与漏极,设置于该通道层上;以及欧姆接触层,设置在该通道层与该源极及该漏极之间,其中该欧姆接触层是由多层膜层所构成。
地址 台湾省台北市中山北路三段二十二号