| 发明名称 | 杂质引入方法、杂质引入设备及利用该方法形成的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明形成具有盒形杂质分布的杂质区。本发明提供一种杂质引入方法，包括引入所需杂质到固态基体的表面的步骤，及在该杂质引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的表面从而形成具有接近盒形的杂质分布的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN1934681A | 申请公布日期 | 2007.03.21 |
| 申请号 | CN200580009622.X | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 佐佐木雄一朗;中山一郎;水野文二 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01);H05H1/46(2006.01) | 主分类号 | H01L21/265(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种杂质引入方法，包括：引入所需杂质到固态基体表面的步骤；及在该引入步骤之后辐照等离子体到该固态基体的该表面的步骤。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||