发明名称 半导体装置
摘要 本发明之课题是提供一种可以高精确度检测半导体装置之温度之技术。本发明之解决手段是用以检测半导体装置之温度的温度检测电路14具备有:短周期振荡器15,用来产生具有与频率有关之正温度特性之时脉信号CLK1;短周期振荡器16,用来产生具有与频率有关之负温度特性之时脉信号CLK2;和温度信号产生部17,根据时脉信号CLK1、CLK2产生对应半导体装置之温度变化的温度信号TEMP。
申请公布号 TW200710376 申请公布日期 2007.03.16
申请号 TW095121390 申请日期 2006.06.15
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 行天隆幸;森下玄;堂阪胜己
分类号 G01K7/32(2006.01) 主分类号 G01K7/32(2006.01)
代理机构 代理人 赖经臣
主权项
地址 日本