| 摘要 |
本发明提供一种形成一电子元件(100)之方法，其包括：蚀刻一第一闸极介电层(104)之一部分以降低此部分内之闸极介电层(304)之一厚度。在一实施例中，未经蚀刻之部分可藉由遮罩(206)覆盖。在另一实施例中，在不同时间蚀刻不同部分以使该第一闸极介电层之厚度不同。在一特定实施例中，在蚀刻该部分后，一第二闸极介电层(402)可形成于该第一闸极介电层(104,504,304)上。该第二闸极介电层(402)可具有一大于该第一闸极介电层(104,504,304)之介电常数。随后，闸电极(606)及源极/汲极区域(802)之形成可经执行以形成一电晶体结构(20,22,24)。 |
