| 发明名称 |
半导体基板沟渠蚀刻之方法 |
| 摘要 |
本发明关于一种半导体基板沟渠蚀刻方法，更特定言之，本发明关于一种深沟渠(如具纵横比为30及更高的沟渠)之蚀刻方法。根据本发明具体实施例，一种半导体基板沟渠的蚀刻方法包含一第一蚀刻循环，其中蚀刻沟渠至第一深度，之后，于至少该沟渠侧壁的上方部分上沉积一保护内衬，该保护内衬包含无机物质。在至少一个第二蚀刻循环期间，蚀刻沟渠至其最后深度。 |
| 申请公布号 |
TW200710988 |
申请公布日期 |
2007.03.16 |
| 申请号 |
TW095112054 |
申请日期 |
2006.04.04 |
| 申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
马丁乌里希古茨雪;汤玛斯黑赫特;哈拉尔德赛德尔;乌尔鲁道夫;芭芭拉罗伦斯;伊利莎白怀克曼 |
| 分类号 |
H01L21/3065(2006.01);H01L21/205(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡清福 |
| 主权项 |
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| 地址 |
德国 |
