在半导体基板内形成埋式隔离区之方法及具有埋式隔离区之半导体装置

摘要

本发明系关于半导体结构及形成半导体结构的方法。此半导体结构包含奈米结构(nano-structures)或使用奈米结构制成。形成半导体结构的方法包含使用一奈米罩(nano-mask)产生奈米结构，并使用产生的奈米结构执行额外的半导体制程步骤。