混合定向基材上之应力场效电晶体

摘要

本发明提供了一种具有较佳载子迁移率之半导体结构。该等半导体结构包含：具有不同晶向的至少两个平坦表面之一混合定向半导体基材；以及被设置在不同晶向的该等平坦表面的每一平坦表面上之至少一个互补金属氧化物半导体(CMOS)装置，其中每一CMOS装置具有一应力通道。本发明也提供了制造该半导体结构的方法。一般而言，本发明之方法包含下列步骤：提供具有不同晶向的至少两个平坦表面之一混合定向基材；以及在不同晶向的该等平坦表面中之每一平坦表面上形成至少一个CMOS装置，其中每一CMOS装置具有一应力通道。