批次原子层沉积反应器中的预处理制程

摘要

本发明之实施例系提供用以在一基材上形成一材料之方法，该方法包括：在一预处理制程期间，将一批次制程腔室内之复数个基材暴露于第一氧化气体；在一ALD循环期间，将该复数个基材依序地暴露于一前驱物与第二氧化气体；以及重复该ALD循环，以在该基材上形成一材料。在一实例中，一铪前驱物系被使用于ALD制程期间以形成一含铪材料，例如氧化铪。在另一实例中，第一与第二氧化气体为不同的氧化气体，而使预处理制程包含臭氧，且ALD制程包含水蒸气。