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发明名称 Herstellungsverfahren für MOS-Struktur mit asymetrisch-dotiertem Kanal
摘要
申请公布号 DE69836941(D1) 申请公布日期 2007.03.15
申请号 DE19986036941 申请日期 1998.08.05
申请人 SHARP K.K.;SHARP MICROELETRONICS TECHNOLOGY INC. 发明人 HSU, SHENG TENG;LEE, JONG JAN
分类号 H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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