发明名称 NOVEL MATERIALS FOR N-TYPE DOPING OF THE ELECTRON TRANSPORTING LAYERS IN ORGANIC ELECTRONIC DEVICES
摘要 <p>Neue Materialien zur n-Dotierung der Elektronentransportschichten in organischen elektronischen Bauelementen, Verwendung dazu sowie organische elektronische Bauelemente Die Erfindung betrifft neue Materialien auf Basis von Donorcarbenenintermediaten zur Verbesserung der Elektroneninjektion und des Elektronentransportes in organischen elektronischen Bauelementen wie organischen Leuchtdioden (OLEDs), organischen Feldeffekttransistoren (OFETs) und Bauelementen auf Basis organischer Photovoltaik wie insbesondere organischen Solarzellen .</p>
申请公布号 WO2007028738(A1) 申请公布日期 2007.03.15
申请号 WO2006EP65752 申请日期 2006.08.29
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;KANITZ, ANDREAS 发明人 KANITZ, ANDREAS
分类号 H01L51/00 主分类号 H01L51/00
代理机构 代理人
主权项
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