发明名称 Method of forming multi-level coplanar metal/insulator films using dual damascene with sacrificial flowable oxide
摘要
申请公布号 EP0895283(B1) 申请公布日期 2007.03.14
申请号 EP19980110307 申请日期 1998.06.05
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 FELDNER, KLAUS;GREWAL, VIRINDER;VOLLMER, BERND;SCHNABEL, RAINER FLORIAN
分类号 H01L21/302;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/3205 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
主权项
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