发明名称 一种低温共烧陶瓷及其制备方法
摘要 本发明公开了一种低温共烧陶瓷材料及其制备方法。该低温共烧陶瓷材料,含有下述重量份数比的组分:Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 40—80,B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> 5—20,SiO<SUB>2</SUB> 5—30,助熔剂0—2,陶瓷材料1—50。其制备方法包括如下步骤:(1)向含有上述重量份数组分的混合物料中加入乙醇或水,研磨后烘干,然后重新研磨成粉末;(2)将所得粉末在500—600℃下煅烧2—4小时,研磨后得到该材料。本发明低温共烧陶瓷材料具有以下优点:(1)烧结温度低于700℃;烧结收缩率可控制在0—20%;(2)介电常数在5—20(1GHz)之间;(3)制备工艺简单、成本低、没有毒副作用;(4)可以应用于高频电路、可集成化的陶瓷基板、谐振器、滤波器等电子器件及半导体和微电子封装材料领域。
申请公布号 CN1304335C 申请公布日期 2007.03.14
申请号 CN200510076888.8 申请日期 2005.06.20
申请人 清华大学 发明人 周济;崔学民;王悦辉;沈建红;缪春林
分类号 C04B35/64(2006.01);C04B35/453(2006.01) 主分类号 C04B35/64(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 关畅
主权项 1、一种低温共烧陶瓷材料,含有下述重量份数比的组分:Bi2O3 40-80,B2O3 5-20,SiO2 5-30,助熔剂 0-2,陶瓷材料 1-50,其中,所述陶瓷材料选自ZnO、Al2O3、TiO2、CaO、P2O5、Nb2O5、V2O5、La2O3、Sb2O3 和As2O3中的一种或几种。
地址 100084北京市海淀区清华园