| 发明名称 | 半导性陶瓷元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体及至少一个陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体，且所述陶瓷绝缘层的电阻率大于10<SUP>6</SUP>Ω－m。所述半导性陶瓷本体与所述陶瓷绝缘层是一起烧结而成。进而，在后续的电镀制程中，所述陶瓷绝缘层可以保护所述半导性陶瓷本体不被电镀液腐蚀。本发明还关于所述半导性陶瓷元件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1929046A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200510098786.6 | 申请日期 | 2005.09.07 |
| 申请人 | 国巨股份有限公司 | 发明人 | 苏哲仪;李文熙;林世彬;胡庆利 |
| 分类号 | H01C7/12(2006.01);H01C7/00(2006.01);C04B35/00(2006.01) | 主分类号 | H01C7/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王允方 |
| 主权项 | 1.一种半导性陶瓷元件，其包括：一半导性陶瓷本体，其具有一顶面和一底面；和至少一陶瓷绝缘层，其位于所述半导性陶瓷本体的顶面、底面或其内部，所述陶瓷绝缘层的材质不同于所述半导性陶瓷本体。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||