| 发明名称 | 电可重写非易失存储元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失存储元件包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与记录层相接触地提供；上电极，其与记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与记录层的上表面的其他部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在保护绝缘膜上提供。从而能够获得高热效率，因为记录层和上电极之间的接触面积的尺寸减少。在层间绝缘膜和记录层的上表面之间提供保护绝缘膜，使得可以减少记录层在记录层的图案形成期间或用于暴露记录层的部分的通孔形成期间所遭受的破坏。 | ||
| 申请公布号 | CN1929161A | 申请公布日期 | 2007.03.14 |
| 申请号 | CN200610151788.1 | 申请日期 | 2006.09.07 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 浅野勇;佐藤夏树;中井洁 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/82(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种非易失存储元件，包括：记录层，其包括相变材料；下电极，其与所述记录层相接触地提供；上电极，其与所述记录层的上表面的部分相接触地提供；保护绝缘膜，其与所述记录层的所述上表面的另外部分相接触地提供；以及层间绝缘膜，其在所述保护绝缘膜上提供。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||