| 主权项 |
1.一种介电体陶瓷器组成物的制造方法,其系用以 制造含有钛酸钡的主成分原料以及含有R氧化物(R 为Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er 、Tm中选择出至少一者)的第四副成分原料的至少 一者的介电体陶瓷器组成物之方法; 其特征在于: 使上述主成分的原料与上述第四副成分的原料至 少一者产生反应,且使用已反应的原料。 2.如申请专利范围第1项所述之介电体陶瓷器组成 物的制造方法,其中使上述主成分的原料与上述第 四副成分的原料的至少一者预先固溶,且使用上述 已反应的原料。 3.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,更包括准备用以使上述主成分的 原料与变成含在上述介电体陶瓷器组成物内的上 述第四副成分的原料的一部份产生预先反应的已 反应的原料的步骤;以及将含在上述介电体陶瓷器 组成物内剩余的上述第四副成分的原料添加于上 述已反应的原料内的步骤。 4.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,其中,最终取得的上述介电体陶 瓷器组成物中的上述第四副成分的含有量相对于 上述主成分100摩尔以R来换算为0.1~10摩尔。 5.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,其中,与上述主成分的原料反应 的第四副成分相对于上述主成分100摩尔以R来换算 为0~0.5摩尔(其中,不包括0)。 6.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,其中,与上述主成分的原料预先 反应的第四副成分的比例相对于最终含在上述介 电体陶瓷器组成物中的上述第四副成分的总量100 mol%以R来换算为0~50摩尔%(其中,不包括0与50)。 7.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,其中,上述介电体陶瓷器组成物, 包括:含有从MgO、CaO、BaO与SrO所选择的至少一者的 第一副成分; 主要含有SiO2且含有从MO(M系从Mg、Ca、Ba与Sr所选择 的至少一者)、Li2O及B2O3所选择的至少一者的第二 副成分; 含有从V2O5、MoO3与WO3所选择的至少一者的第三副 成分; 相对于上述主成分100摩尔的各副成分的比率为: 第一副成分:0.1~5摩尔; 第二副成分:0.1~12摩尔; 第三副成分:0~0.3摩尔(其中,不包括0)。 8.如申请专利范围第7项所述之介电体陶瓷器组成 物的制造方法,其中,上述介电体陶瓷器组成物更 包含:从MnO与Cr2O3选择出至少一者的第五副成分,相 对于上述主成分100摩尔的第五副成分的比率为0.05 ~1.0摩尔。 9.如申请专利范围第1或2项所述之介电体陶瓷器组 成物的制造方法,其中,使用平均粒径0.05~0.5m的 原料作为上述主成分的原料。 10.一种介电体陶瓷器组成物,其系藉由如申请专利 范围第1或2项所述之制造方法所制成。 11.一种电子元件,具有如申请专利范围第10项所述 之介电体陶瓷器组成物所构成的介电体层。 图式简单说明: 第1图系显示本发明的一实施例的积层陶瓷电容之 剖面图。 |
