| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf eine Unterstützungsvorrichtung 1 zur Unterstützung einer Verdickung 82 am Dünnhals 81 eines Einkristalls 8, bestehend aus Halbleitermaterial in einer nach dem Tiegelziehverfahren nach Czochralski arbeitenden Kristallziehanlage, wobei die Unterstützungsvorrichtung 1 in ihrem unteren Bereich eine Auflagevorrichtung 121, 122 mit einer zentralen Öffnung aufweist, wobei sich in diese zentrale Öffnung in einer waagerechten Ebene ein Kreis mit einem Durchmesser D¶1¶ einbeschreiben lässt, dessen Mittelpunkt auf einer senkrechten Achse 16 liegt, und wobei die Auflagevorrichtung 121, 122 durch ein oder mehrere Verbindungselemente 132, 133, 134 mit wenigstens einem über der Auflagevorrichtung 121, 122 angeordneten Befestigungselement 14 verbunden ist, das sich zur Befestigung an einer Hubeinrichtung 2 der Kristallziehanlage eignet, wobei die Verbindungselemente 132, 133, 134 so angeordnet sind, dass sie im Bereich unmittelbar über der Auflagevorrichtung 121, 122 einen Raum frei lassen, in den sich in jeder beliebigen waagerechten Ebene ein Kreis mit einem Mittelpunkt auf der Achse 16 und einem Durchmesser D¶2¶ einbeschreiben lässt, der größer ist als der Durchmesser D¶1¶, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterstützungsvorrichtung 1 in sich unbeweglich ist. DOLLAR A Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial, bei dem die Unterstützungsvorrichtung eingesetzt wird. |
