发明名称 |
用于激光诱导热成像的膜供体装置 |
摘要 |
本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中,磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中,可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间,即,一个部件位于可转移层之上,另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中:半成品装置和膜供体装置;半成品装置和接触框架;基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。 |
申请公布号 |
CN1923530A |
申请公布日期 |
2007.03.07 |
申请号 |
CN200610121985.9 |
申请日期 |
2006.08.30 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
李承铉;成研周;宋明原;俞炳旭;姜泰旻;成镇旭;鲁硕原;金茂显;金善浩 |
分类号 |
B41M5/26(2006.01) |
主分类号 |
B41M5/26(2006.01) |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 |
代理人 |
韩明星;刘奕晴 |
主权项 |
1、一种用于激光诱导热成像的膜供体装置,所述装置包括:基底;可转移膜层,被构造成当足够量的热施加到其上时,其一部分被转移,所述可转移膜层包括有机材料;磁性层,包括磁体,其中,所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间,或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |