发明名称 用于激光诱导热成像的膜供体装置
摘要 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中,磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中,可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间,即,一个部件位于可转移层之上,另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中:半成品装置和膜供体装置;半成品装置和接触框架;基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
申请公布号 CN1923530A 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN200610121985.9 申请日期 2006.08.30
申请人 三星SDI株式会社 发明人 李承铉;成研周;宋明原;俞炳旭;姜泰旻;成镇旭;鲁硕原;金茂显;金善浩
分类号 B41M5/26(2006.01) 主分类号 B41M5/26(2006.01)
代理机构 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人 韩明星;刘奕晴
主权项 1、一种用于激光诱导热成像的膜供体装置,所述装置包括:基底;可转移膜层,被构造成当足够量的热施加到其上时,其一部分被转移,所述可转移膜层包括有机材料;磁性层,包括磁体,其中,所述磁性层介于所述基底和所述可转移膜层之间,或者所述基底介于所述磁性层和所述可转移膜层之间。
地址 韩国京畿道水原市