| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制因噪声引起的信号品质的劣化，并且能够减少因闩锁引起的电路误操作，能够确保良好的隔离度。该半导体器件包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在半导体衬底内的表面侧且位于第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在第2层内或第2层之上形成；以及沟槽型绝缘区域，位于2个半导体元件之间，形成在半导体衬底内且从半导体衬底的表面到达上述第1层，将2个半导体元件或半导体电路电分离。 | ||
| 申请公布号 | CN1925157A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610121913.4 | 申请日期 | 2006.08.28 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 山中未来;平冈幸生;石川修 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其特征在于，包括：第1层，在半导体衬底内形成，电阻率比10Ωcm大、且比1kΩcm小；第2层，在上述半导体衬底内的表面侧且位于上述第1层上方形成；2个半导体元件或半导体电路，在上述第2层内或上述第2层之上形成；以及分离区域，位于上述2个半导体元件或半导体电路之间，形成在上述半导体衬底内、且从上述半导体衬底的表面到达上述第1层，将上述2个半导体元件或半导体电路电分离。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||