| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件制造方法，该方法包括以下步骤：在电子束电流不小于1μA但小于3mA的情况下，通过将砷离子注入到硅衬底的电容器形成区，形成n型杂质扩散区；在硅衬底的电容器形成区中形成电容器介电膜；在电容器介电膜上形成电容器上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1925139A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610004945.6 | 申请日期 | 2006.01.12 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 藤田彻 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01);H01L21/265(2006.01) | 主分类号 | H01L21/822(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王玉双;高龙鑫 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在电子束电流等于或大于1μA但小于3mA的条件下，通过将杂质离子注入到半导体衬底的电容器形成区，在该半导体衬底中形成杂质扩散区；在该半导体衬底的杂质扩散区上形成电容器介电膜；以及在该电容器介电膜上形成电容器上电极。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||