| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1925181A | 申请公布日期 | 2007.03.07 |
| 申请号 | CN200610126585.7 | 申请日期 | 2006.08.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 橘浩一;本乡智惠;名古肇;布上真也 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/30(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具有：有源层；第1导电型的第1半导体层；防止溢出层，配置在所述有源层和所述第1半导体层之间，其掺杂有第1导电型的杂质，防止电子或空穴的溢出；第1导电型的第2半导体层，其配置在所述有源层和所述防止溢出层之间及所述防止溢出层和所述第1半导体层之间的至少一方；和防止杂质扩散层，配置在所述第1半导体层和所述有源层之间，其具有比所述防止溢出层、所述第1半导体层和第2半导体层小的带隙，防止第1导电型的杂质的扩散；其中，所述有源层、所述防止溢出层、所述第1半导体层、所述第2半导体层及所述防止杂质扩散层均由GaN系列化合物半导体构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||