发明名称 一种氮化硅/氮化钛纳米复合材料的制备方法
摘要 本发明涉及一种制备导电氮化硅/氮化钛纳米复合材料的方法,其特征在于在液氨溶液中,以Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>粉为成核基体,钛的卤化物和碱金属为反应原料,按Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>与TiN的体积比为90∶10~75∶25配料,在Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>颗粒表面一步原位反应合成纳米TiN,形成TiN包裹的Si<SUB>3</SUB>N<SUB>4</SUB>复合粉体;最后将复合粉体在700~900℃热处理后用SPS方法快速烧结,烧结温度为1500~1650℃,压力为50~70MPa,保温2~6分钟。制备的纳米复合材料,显微结构精细,晶粒尺寸小于500nm,断裂韧性达到了4.7MPa.m<SUP>1/2</SUP>,并且当TiN体积含量达到或者超过20%时,所制备的复合材料的可采用放电切割机进行复杂形状的加工,降低加工成本。
申请公布号 CN1923753A 申请公布日期 2007.03.07
申请号 CN200610030049.7 申请日期 2006.08.11
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所;北京科技大学 发明人 王连军;朱鸿民;江莞;杨梅;陈立东
分类号 C04B35/584(2006.01);C04B35/622(2006.01) 主分类号 C04B35/584(2006.01)
代理机构 上海智信专利代理有限公司 代理人 潘振甦
主权项 1、一种Si3N4/TiN纳米复合材料的制备方法,包括配料、合成和烧结工艺,其特征在于具体步骤是:(A)TiN包裹Si3N4纳米复合粉体的制备以Si3N4粉、钛的卤化物溶液和碱金属为原料,TiN以液相还原方法反应生成,(a)按Si3N4与TiN的体积比90∶10~75∶25进行配料设计,(b)将Si3N4粉体均匀弥散在液氨中,作为成核基体,(c)再加入钛的卤化物溶液和碱金属进行反应,反应时间0.5-1.5小时,其中钛的卤化物和碱金属的摩尔比为1∶4~1∶5;(d)过滤并进行热处理,热处理温度700-900℃,制备成TiN包裹Si3N4 纳米复合粉体;(B)将步骤(A)制备的TiN包裹Si3N4纳米复合粉体,采用放电等离子SPS烧结方法烧结,烧结温度1500-1650℃、压力为50-70MPa,保温2-6分钟。
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