具有高击穿电压的半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有高击穿电压的半导体装置及其制造方法。根据本发明，可预先防止由于将高浓度杂质层和栅电极图案分离而引起的装置尺寸增大，因为其将栅电极图案嵌入半导体衬底的底部并将源极/漏极扩散层的低浓度杂质层和高浓度杂质层依次堆叠在栅电极图案的两侧，从而使高浓度杂质层可容易地为其自身保留必要的电压降区域，而不必与栅电极图案隔开。

主权项

1.一种具有高击穿电压的半导体装置，其包括：栅电极图案，其嵌入半导体衬底的作用区域中，所述区域通过具有反转防止层的装置分离膜限定；栅极绝缘层图案，其包围栅电极图案；高浓度杂质层，其位于栅电极图案的两侧，以接触栅极绝缘层图案并通过离子植入形成于半导体衬底的作用区域的上层中；以及低浓度杂质层，其位于栅电极图案的两侧，以接触栅极绝缘层图案并通过离子植入形成于高浓度杂质层的下方。