半导体装置及其制造方法

摘要

本发明系关于一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：一基底；一低介电常数介电层，位于该基底上，其内设置有至少一导电构件；以及一非导电上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该非导电上盖层包括金属离子。