发明名称 |
太阳电池和半导体器件以及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及太阳电池和半导体器件以及其制造方法,目的是通过使形成在太阳电池中的电极微细化,以实现太阳电池的微细化。本发明的太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成光电转换层;在所述光电转换层上形成有机材料层;在所述光电转换层中形成到达所述第一电极层的开口;在所述开口中填充导电膏以形成第二电极层,其中,所述有机材料层改变所述光电转换层的表面性质,因而增大所述导电膏和所述光电转换层的接触角。根据本发明,通过在光电转换层的表面上形成有机材料层,可以降低光电转换层的润湿性。从而,可以使电极层和绝缘分离层的形状变细。 |
申请公布号 |
CN102522462A |
申请公布日期 |
2012.06.27 |
申请号 |
CN201210008282.0 |
申请日期 |
2006.01.12 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
西和夫;青木智幸;伊佐敏行;藤井严 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
屠长存 |
主权项 |
一种太阳电池的制造方法,包括以下步骤:在衬底上形成第一电极层;在所述第一电极层上形成非晶半导体层;通过在所述非晶半导体层的顶表面上形成有机材料层来降低所述非晶半导体层的顶表面的润湿性;在所述有机材料层和所述非晶半导体层中形成到达所述第一电极层的开口;以及通过以导电膏填充所述开口使得不从所述开口溢出而形成第二电极层。 |
地址 |
日本神奈川 |