| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含下述步骤: 在一半导体基板上形成一闸极; 在该闸极之二侧之半导体基板中,形成源极╱汲极 扩散层; 于该源极╱汲极扩散层中包埋一矽锗层; 在该矽锗层之上部形成一非晶形层; 在该非晶形层上形成一镍膜;以及 进行热处理以使该镍膜及该非晶形层彼此互相反 应,以供在该矽锗层上形成一矽化物膜。 2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该非晶形层的步骤中,该非晶形层系形 成具有厚度为20nm或以下。 3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该矽化物膜的步骤中,该热处理系持续 进行直至该矽化物膜到达结晶之该矽锗层。 4.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该非晶形层之步骤中,该非晶形层系藉 由离子植入使该矽锗层之上部为非晶形所形成。 5.如申请专利范围第4项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该非晶形层之步骤中,Ar离子、Ge离子 、Si离子、As离子、Sb离子、N离子、Xe离子或Kr离 子系植入该矽锗层之上部。 6.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该非晶形层之步骤中,该非晶形层系选 择性地形成在该矽锗层上。 7.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法, 其中在形成该非晶形层之步骤,该非晶形层系形成 在该半导体基板及该矽锗层上,以及系经图案化以 藉此在该矽锗层上形成该非晶形层。 8.如申请专利范围第6项之半导体装置的制造方法, 其中该非晶形层为非晶形矽层或非晶形矽锗层。 9.如申请专利范围第7项之半导体装置的制造方法, 其中该非晶形层为非晶形矽层或非晶形矽锗层。 10.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法 ,其中在包埋该矽锗层之步骤中,在该闸极上形成 另一矽锗层,在形成该非晶形层之步骤中,在该另 一矽锗层上,形成另一非晶形层,在形成该镍膜之 步骤中,该镍膜亦形成在该另一非晶形层上,以及 在进行该热处理之步骤中,该镍膜及该另一非晶形 层系进一步彼此互相反应,以供在该另一矽锗层上 藉此形成另一矽化镍膜。 11.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法 ,其中在形成该矽化镍膜之步骤后,进一步包含利 用化学液体或硫酸及过氧化氢之混合物,蚀刻去除 该镍膜之未反应部分的步骤。 12.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法 ,其中在形成该矽化镍膜之步骤后,进一步包含利 用化学液体或盐酸、过氧化氢及水之混合物,蚀刻 去除该镍膜之未反应部分的步骤。 13.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法 ,其中在形成该镍膜之步骤中,该镍膜系藉由溅镀 形成。 图式简单说明: 第1图为在利用薄镍膜矽化矽锗层中,热处理温度 、Ge组成比例以及薄膜电阻之间关系的图形; 第2A图及第2B图为形成无矽化物的区域之机制的概 念图; 第3图为矽化镍膜之SEM影像的平面图(第1部分); 第4图为矽化镍膜之SEM影像的平面图(第2部分); 第5图为显示形成钉状之Ni(Si1-x Gex)2结晶的截面图; 第6A图至第6E图为例示说明本发明之原理的截面图 ; 第7图为藉由根据本发明的制造方法形成之矽化镍 膜之SEM影像的平面图; 第8A图至第8E图为例示说明非晶形层做得太厚之例 子的截面图; 第9A图至第9E图为例示说明非晶形层做得太薄之例 子的截面图; 第10图为例示说明根据本发明之具体例的半导体 装置之结构的截面图; 第11A图至第11C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第1部分); 第12A图至第12C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第2部分); 第13A图至第13C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第3部分); 第14A图至第14C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第4部分); 第15A图至第15C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第5部分); 第16A图至第16C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第6部分); 第17A图至第17C图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第7部分); 第18A图及第18B图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第8部分); 第19A图及第19B图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第9部分); 第20A图及第20B图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第10部分); 第21A图及第21B图为根据本发明之第一具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第11部分); 第22图为根据本发明之第一具体例之半导体装置, 在例示说明制造此半导体装置之方法的步骤中之 截面图(第12部分); 第23图为根据本发明之第一具体例之半导体装置, 在例示说明制造此半导体装置之方法的步骤中之 截面图(第13部分); 第24图为热处理温度及薄膜电阻之间关系的图形; 第25A图及第25B图为根据本发明之第二具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第1部分); 第26A图及第26B图为根据本发明之第二具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第2部分); 第27A图及第27B图为根据本发明之第二具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第3部分); 第28图为根据本发明之第二具体例之半导体装置, 在例示说明制造此半导体装置之方法的步骤中之 截面图(第4部分); 第29A图及第29B图为根据本发明之第三具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第1部分); 第30A图及第30B图为根据本发明之第三具体例之半 导体装置,在例示说明制造此半导体装置之方法的 步骤中之截面图(第2部分); 第31图为根据本发明之第三具体例之半导体装置, 在例示说明制造此半导体装置之方法的步骤中之 截面图(第3部分);以及 第32图为根据本发明之第三具体例之半导体装置, 在例示说明制造此半导体装置之方法的步骤中之 截面图(第4部分)。 |
