| 主权项 |
1.一种研磨垫,包括: 一聚合物基材,该聚合物基材具有一正面与一背面 ,在该正面及/或该背面形成有至少一径向沟槽以 及至少一环状沟槽,其中该径向沟槽与该环状沟槽 之深度比系介于0.1至1.05之间。 2.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽系一直线形沟槽,且该直线形沟槽系由该研磨 垫之中心向外呈放射状分布。 3.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽系一曲线形沟槽,且该曲线形沟槽系由该研磨 垫之中心向外呈螺旋状分布。 4.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该环状 沟槽系一圆形沟槽、一椭圆形沟槽或一波浪形沟 槽。 5.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽与该环状沟槽之深度比系介于0.1至0.3之间。 6.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽与该环状沟槽之深度比系介于0.3至0.5之间。 7.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽与该环状沟槽之深度比系介于0.5至0.7之间。 8.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽与该环状沟槽之深度比系介于0.7至0.9之间。 9.如申请专利范围第1项所述之研磨垫,其中该径向 沟槽与该环状沟槽之深度比系介于0.9至1.05之间。 10.一种研磨垫的制造方法,包括: 提供一聚合物基材,该聚合物基材具有一正面与一 背面;以及 于该聚合物基材之该正面及/或该背面形成至少一 径向沟槽以及与至少一环状沟槽,其中该径向沟槽 与该环状沟槽之深度比系介于0.1至1.05之间。 11.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽的形成方法包括一铣床加工方 式。 12.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该环状沟槽的形成方法包括一车床加工方 式。 13.如申请专利范围第12项所述之研磨垫的制造方 法,是先形成该径向沟槽再形成该环状沟槽,且在 该径向沟槽形成后更包括进行一表面切削步骤。 14.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽系一直线形沟槽,且该直线形 沟槽系由该研磨垫之中心向外呈放射状分布。 15.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽系一曲线形沟槽,且该曲线形 沟槽系由该研磨垫之中心向外呈螺旋状分布。 16.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该环状沟槽系一圆形沟槽、一椭圆形沟槽 或一波浪形沟槽。 17.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽与该环状沟槽之深度比系介于 0.1至0.3之间。 18.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽与该环状沟槽之深度比系介于 0.3至0.5之间。 19.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽与该环状沟槽之深度比系介于 0.5至0.7之间。 20.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽与该环状沟槽之深度比系介于 0.7至0.9之间。 21.如申请专利范围第10项所述之研磨垫的制造方 法,其中该径向沟槽与该环状沟槽之深度比系介于 0.9至1.05之间。 图式简单说明: 图1为依照本发明实施例所绘示之研磨垫的示意图 。 图2至图4为依照本发明所绘示之研磨垫的径向沟 槽之上视示意图。 图5至图7为依照本发明所绘示之研磨垫的环状沟 槽之上视示意图。 图8系依照本发明实施例所绘示之研磨垫的上视示 意图。 图9为绘示沿图8的I-I'剖面线的剖面示意图。 图10为绘示研磨垫的径向沟槽与环状沟槽之深度 比对残屑密度的关系图。 |
