发明名称 以蜡覆盖矽石类之方法
摘要 本发明系关于一种以蜡覆盖或浸渍矽石的方法,其中矽石的覆盖系在高于蜡的熔点和低于蜡在空气中的分解温度的温度下进行的。使用覆盖蜡之矽石作为去泽剂。
申请公布号 TWI274777 申请公布日期 2007.03.01
申请号 TW090120775 申请日期 2001.08.23
申请人 德固萨股份有限公司 发明人 佐更史考伯;克劳斯戴特海威;米歇尔皮凯尔;汉斯戴耶特葡兹
分类号 C09C1/30(2006.01);C08K9/04(2006.01) 主分类号 C09C1/30(2006.01)
代理机构 代理人 何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;何秋远 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 1.一种以蜡覆盖矽石之方法,其特征在于矽石的覆 盖系在空气中高于蜡的40℃之熔点和低于其200℃ 之分解温度的范围内进行,其中腊之量相对于矽石 计为2到15重量%,且该矽石实质上不包括矽胶。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中在于研磨系与 覆盖方法同时进行。 3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在于相对 于矽石,蜡的使用量为5到12重量%。 4.如申请专利范围第1或2项之方法,其中在于使用 聚乙烯蜡、费雪-阙布希(Fischer-Tropsch)蜡或聚矽氧 基蜡做为覆盖之用。 5.如申请专利范围第1项之方法,其系用于制备一种 以蜡覆盖的矽石所构成之去泽剂。 6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中实施以腊 覆盖矽石之方法系为藉由喷洒具有60至160℃之温 度的经加热之空气或惰性气体,来调整在覆盖及/ 或研磨期间之研磨室温度,并使得研磨出口温度成 为40至140℃; 藉以在高于腊之40℃的熔融范围、且低于200℃的 分解温度下进行该覆盖和研磨。
地址 德国