| 发明名称 | 形成半导体存储器的电荷捕捉介电层的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体存储器中的电荷捕捉介电层的方法，包含：(a)提供半导体基底；(b)在基底的至少一部分上形成氧化层；(c)在氧化层下方的基底中形成两个或两个以上的源极和漏极区；(d)对氧化层进行再氧化；(e)在氧化层上形成电荷捕捉介电层；(f)在电荷捕捉介电层上形成绝缘层。且另外描述包含如下步骤的方法：(a)提供半导体基底；(b)在干氧环境中于基底的至少一部分上形成氧化层；(c)在氧化层下方的基底中形成两个或两个以上的源极和漏极区；(d)在氧化层上形成电荷捕捉介电层；(e)在电荷捕捉介电层上形成绝缘层；(f)在氢含量低于约0.01％的环境中对绝缘层进行退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1921074A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610090367.2 | 申请日期 | 2006.07.03 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;李士勤;谢荣裕;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高翔 |
| 主权项 | 1.一种形成半导体存储器中的结构的方法，其特征是包括：提供半导体基底；在该基底的至少一部分上形成氧化层；在该氧化层下方的该基底中形成两个或两个以上的源极和漏极区；对该氧化层进行再氧化；在该氧化层上形成电荷捕捉层；以及在该电荷捕捉层上形成绝缘层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||