NAND FLASH MEMORY DEVICE APPLYING ERASE VOLTAGE OF DIFFERENT LEVEL TO EACH WORD LINE,申请号KR20050077482-传众专利搜索

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发明名称	NAND FLASH MEMORY DEVICE APPLYING ERASE VOLTAGE OF DIFFERENT LEVEL TO EACH WORD LINE
摘要
申请公布号	KR20070023180(A)	申请公布日期	2007.02.28
申请号	KR20050077482	申请日期	2005.08.23
申请人		发明人
分类号	G11C16/12	主分类号	G11C16/12
代理机构		代理人
主权项
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