| 发明名称 | 在光学无掩模光刻中用于曝光图案和模拟掩模的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及光学无掩模光刻(optical masklesslithographyOML)。特别地，本发明涉及提供与掩模和相移掩模技术有可识别关系的OML。 | ||
| 申请公布号 | CN1922550A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200580005833.6 | 申请日期 | 2005.02.24 |
| 申请人 | 麦克罗尼克激光系统公司 | 发明人 | 托布乔恩·桑德斯特罗姆;汉斯·马丁森 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G02B26/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种曝光光刻图案的方法，包括：提供空间光调制器(SLM)，该空间光调制器包括具有带负实部的复反射系数的至少一个镜以及具有带正实部的复反射系数的邻接镜，用部分相干束辐照所述SLM，转换矢量输入数据从而驱动所述SLM，所述矢量输入数据包括两个以上束中继状态，在一种或更多与掩模原版使用的光刻图像增强方法中使用，所述光刻图像增强方法在下面的组中：无铬相光刻(CPL)，相边缘光刻，交替孔径(Levinson型)光刻，三调光刻，或高透射率衰减光刻。 | ||
| 地址 | 瑞典泰比 | ||