发明名称 |
用于制备含F<SUB>2</SUB>气体的方法和装置以及用于制品表面改性的方法和装置 |
摘要 |
公开了用于安全且容易地制备含F<SUB>2</SUB>气体的方法和设备。同样公开了用于利用如此制备的含F<SUB>2</SUB>气体表面改性的方法和设备。本发明中,提供比F<SUB>2</SUB>更容易控制的含有含氟化合物的气体,并且在表面改性前通过激发和分解含氟化合物,将该气体转化为F<SUB>2</SUB>气体,以用于表面改性。因为所需量的F<SUB>2</SUB>气体可正好在表面改性前获得,所以没必要预先制备、储存和运输大量的F<SUB>2</SUB>气体。制备含F<SUB>2</SUB>气体的方法包括以下步骤:其中在减压下,通过将能量提供给含有含氟化合物的气体,激发含有含氟化合物的气体中的至少一种含氟化合物,以及在常压或加压下,将含有该受激含氟化合物的气体的部分或全部转化为F<SUB>2</SUB>。 |
申请公布号 |
CN1922102A |
申请公布日期 |
2007.02.28 |
申请号 |
CN200580005901.9 |
申请日期 |
2005.03.30 |
申请人 |
关东电化工业株式会社 |
发明人 |
谷冈贵;深江功也;米村泰辅 |
分类号 |
C01B7/20(2006.01);C08J7/00(2006.01);C23C8/08(2006.01);C08L101/00(2006.01) |
主分类号 |
C01B7/20(2006.01) |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所 |
代理人 |
刘新宇 |
主权项 |
1.一种制备含F2气体的方法,该方法包括下列步骤:通过减压下给予含有氟化合物的气体能量,激发含有氟化合物的气体中的至少一种氟化合物;以及常压或加压下,将含有该受激氟化合物的该含受激氟化合物的气体部分或全部转化为F2。 |
地址 |
日本东京都 |