| 发明名称 | 氧化物薄膜填充结构、氧化物薄膜填充方法及半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于提供氧化物薄膜的填充结构等，所述氧化物薄膜的填充结构可以利用经济和切实可行的方法，在无需增加RF偏置的情况下，在预定的凹陷部分中没有空隙的形成绝缘薄膜(氧化物薄膜)。根据第一发明，氧化物薄膜填充结构配置有具有凹陷部分(沟槽)的基底(硅衬底)和形成在所讨论凹陷部分中的氧化物薄膜(氧化硅薄膜)。此处，所讨论的氧化物薄膜至少部分包括富硅的氧化硅薄膜区域。 | ||
| 申请公布号 | CN1921084A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610121648.X | 申请日期 | 2006.08.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 泽田直人;浅井孝祐;宫河义弘;村田龙纪 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01);H01L21/316(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种氧化物薄膜填充结构，包括：具有凹陷部分的基底；和形成在凹陷部分中且包含硅和氧的氧化物薄膜；其中氧化物薄膜至少部分包括富硅的氧化硅薄膜区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||