| 发明名称 | 内连线结构及其制造方法、半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种铜内连线结构以做为内连线。上述内连线结构具有铜凹陷，其位于以铜填入位于介电层中的介层孔/沟槽的镶嵌结构中。另外，上述内连线结构也可以具有金属覆盖层，填入上述铜凹陷中。由于本发明的内连线结构包括铜凹陷，以选择性成长方式在上述铜凹陷上形成的金属覆盖层可受到良好的控制。 | ||
| 申请公布号 | CN1921102A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610121427.2 | 申请日期 | 2006.08.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 石健学;蔡明兴;苏鸿文 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L23/522(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈晨 |
| 主权项 | 1.一种内连线结构，包括：镶嵌结构，包括介电层，以及位于该介电层中的介层孔和/或沟槽；导体，填入该介层孔和/或该沟槽中，其中该导体的顶面低于该介电层的顶面；以及含钴覆盖层，位于该导体上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||