| 发明名称 | 热助磁记录介质以及磁记录再现装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种热助磁记录介质，其能够克服在RT下的热波动抗力问题和写入能力问题，在刚刚低于记录温度的温度下获得矫顽磁力随温度变化的急剧改变量，并且可以在低温下形成。该介质具有由在基底上形成的满足T<SUB>W</SUB>＜T<SUB>C</SUB>的高K<SUB>F</SUB>铁磁性(F)下层301、满足T<SUB>B</SUB>＜T<SUB>W</SUB>的低K<SUB>AF</SUB>反铁磁(AF)中间层401以及满足T<SUB>W</SUB>＜T<SUB>C</SUB>的用于记录再现的铁磁性(F)上层501构成的膜层结构，其中T<SUB>W</SUB>是记录温度，T<SUB>C</SUB>为居里点，T<SUB>N</SUB>为里尔点，T<SUB>B</SUB>为截止温度，K<SUB>F</SUB>为铁磁性磁晶各向异性常数，K<SUB>AF</SUB>为反铁磁磁晶各向异性常数。 | ||
| 申请公布号 | CN1920961A | 申请公布日期 | 2007.02.28 |
| 申请号 | CN200610121850.2 | 申请日期 | 2006.08.25 |
| 申请人 | 日立环球储存科技荷兰有限公司 | 发明人 | 添谷进 |
| 分类号 | G11B5/66(2006.01);G11B5/73(2006.01);G11B5/738(2006.01);G11B11/105(2006.01) | 主分类号 | G11B5/66(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 杨林森;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种热助磁记录介质，其特征在于该介质具有由满足TW＜TC的高KF铁磁物质或满足TW＜TN的高KAF反铁磁物质制成的底层、满足TB＜TW的低KAF反铁磁中间层、和满足TW＜TC的铁磁物质或亚铁磁物质制成的用作记录再现层的上层构成的膜层结构，其中TW是记录温度，TC为居里点，TN为里尔点，TB为截止温度，KF为铁磁性磁晶各向异性常数，KAF为反铁磁磁晶各向异性常数。 | ||
| 地址 | 荷兰阿姆斯特丹 | ||