发明名称 积体电路输入/输出装置与其验证方法
摘要 一种积体电路输入/输出装置与其验证方法。此装置可有效节省晶片面积成本并降低输入/输出电路电性传导路径上的电阻值,提升电路效能。上述之装置包括金属结构单元与积体电路元件。积体电路包括一具有镑线焊垫之金属结构单元与积体电路元件。积体电路元件可直接位于金属结构单元之下,并耦接至金属结构单元。其中,金属结构单元提供积体电路电性传导路径。
申请公布号 TWI274413 申请公布日期 2007.02.21
申请号 TW094141856 申请日期 2005.11.29
申请人 智原科技股份有限公司 发明人 吴志宏;傅淑芳
分类号 H01L23/48(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 1.一种积体电路输入/输出装置,包括: 一金属结构单元,包括一镑线焊垫,该镑线焊垫具 有一镑线金属层,该镑线金属层位于该镑线焊垫的 最上层并提供一镑线窗口; 一积体电路元件,形成于一基板上,该积体电路元 件位于该金属结构单元之下,并耦接至该金属结构 单元; 其中,该金属结构单元与该积体电路元件形成一积 体电路且该金属结构单元提供该积体电路电性传 导路径。 2.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该金属结构单元包括多层金属结构。 3.如申请专利范围第2项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该金属结构单元更包括多个介层窗插塞 耦接于相邻的两金属层之间。 4.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中在该金属结构单元之上,具有一覆盖层, 且该覆盖层并不覆盖在该镑线窗口之上。 5.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该镑线金属层的构成材质包括铝。 6.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该积体电路包括一输入/输出缓冲电路 。 7.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该积体电路包括一静电防护电路。 8.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该积体电路元件包括多个电晶体。 9.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输出 装置,其中该积体电路元件包括一输入/输出元件 。 10.如申请专利范围第1项所述之积体电路输入/输 出装置,其中该积体电路元件包括一静电防护元件 。 11.一种积体电路输入/输出装置之验证方法,包括 下列步骤: 比对一金属结构单元所包括之多个布局基本单元; 依据一镑线焊垫所在位置,取得相对应的一布局位 置资料; 以不同该镑线焊垫位置之该布局位置资料,测试该 积体电路输入/输出装置并取得测试资料; 根据该些测试资料,设定镑线焊垫之位置;以及 根据所设定之镑线焊垫位置,将该镑线焊垫耦接于 该积体电路输入/输出装置之该金属结构单元。 12.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中比对一金属结构单元所包 括之多个布局基本单元时,该布局基本单元包括一 第一布局基本单元。 13.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中比对一金属结构单元所包 括之多个布局基本单元时,该布局基本单元包括一 第二布局基本单元。 14.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中依据一镑线焊垫所在位置 ,取得相对应的一布局位置资料时,该布局位置资 料包括镑线焊垫所包括的该布局基本单元资料。 15.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中依据一镑线焊垫所在位置 ,取得相对应的一布局位置资料时,更包括改变该 镑线焊垫所在位置并取得相对应的该布局位置资 料。 16.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中以不同该镑线焊垫位置之 该布局位置资料,测试该积体电路输入/输出装置 并取得测试资料,该些测试资料更包括测试积体电 路输出/输入装置的电压降、电致迁移,以及静电 防护能力的测试结果。 17.如申请专利范围第11项所述之积体电路输入/输 出装置之验证方法,其中根据该些测试资料,设定 镑线焊垫之位置时,更包括下列步骤: 取得该布局位置资料的该些测试资料; 若该些测试资料符合所需,则移除相对应位置上的 该些布局基本单元; 若该些测试资料不符合所需,则改变焊垫所在位置 并回到依据该镑线焊垫所在位置,取得相对应的一 布局位置资料之步骤。 图式简单说明: 图1为美国专利(US patent 6900541)之电路图。 图2为传统制程镑线焊垫与主动电路整合剖面图。 图3为根据本发明一实施例之积体电路输入/输出 装置剖面图。 图4为根据本发明一实施例之金属结构单元与镑线 焊垫结构关系剖面图。 图5为积体电路输入/输出装置验证方法流程图。
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